特許

J-GLOBAL ID：201403080838209539

半導体装置の作製方法

発明者： 秋元 健吾 ,  遠藤 佑太
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-188367
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017506
出願日： 2013年09月11日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：

【課題】可撓性基板上に高速動作が可能で信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく作製する。【解決手段】絶縁性基板上にスパッタリング法により剥離層を形成し、剥離層を逆スパッタリング法により平坦化し、平坦化された剥離層上に絶縁膜を形成する第1の工程と、半導体基板に水素等を導入して損傷領域を形成し、損傷領域が形成された半導体基板上に絶縁膜を形成する第2の工程と、を有し、絶縁性基板上に形成された絶縁膜と、半導体基板上の絶縁膜と、を貼り合わせて半導体基板を損傷領域から引き剥がすことで絶縁性基板上に半導体層を形成し、半導体層を平坦化することでSOI基板を作製し、該SOI基板上に半導体装置を作製する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の基板上に剥離層を形成し、前記剥離層を平坦化し、該平坦化された剥離層上に絶縁膜を形成し、 前記第1の基板に形成された前記絶縁膜と、損傷領域を有する半導体基板と、を貼り合わせ、 前記半導体基板を前記損傷領域で引き剥がすことで、前記第1の基板上に半導体層を形成し、 前記半導体層を用いて半導体素子を形成し、 前記半導体素子の設けられた前記第1の基板と、第2の基板と、を接合させ、 前記剥離層において前記第1の基板に設けられた前記半導体素子を剥離して、前記第2の基板上に移し替えることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 627A

Fターム (50件)：

5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ12

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-037024   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-207536   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• SOIウエーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-263870   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-033833   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特許第6372609号
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-316613   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所