特許
J-GLOBAL ID：201403084326283449

成膜装置のクリーニング方法および成膜装置

発明者：
梅澤 好太

梅澤 好太 について

, 
渡邉 要介

渡邉 要介 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-093931
公開番号（公開出願番号）：特開2014-216539
出願日： 2013年04月26日
公開日（公表日）： 2014年11月17日
要約：
【課題】ガス供給路の内部や、処理室下部に付着した付着物を除去することが可能な成膜装置のクリーニング方法を提供すること。【解決手段】処理室の内部、および処理室の内部に収容された部材をクリーニングする工程(ステップ1)と、処理室の内部、および部材それぞれの下部をクリーニングする工程(ステップ2)と、ガス供給路の内部をクリーニングする工程(ステップ3)とを具備する。ステップ1は、圧力を第1の圧力帯、温度を第1の温度帯にそれぞれ設定し、ガス供給路からクリーニングガスを供給して行い、ステップ2は、圧力を第1の圧力帯よりも高い第2の圧力帯に設定し、温度を第1の温度帯よりも高い第2の温度帯に上昇させながら、ガス供給路からクリーニングガスを供給して行い、ステップ3は、圧力を第2の圧力帯よりも低い第3の圧力帯に設定し、温度を第2の温度帯で維持しながら、ガス供給路からクリーニングガスを供給して行う。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
被処理基板を収容し、前記被処理基板に対して化合物半導体膜を成膜する成膜処理を施す処理室と、 前記処理室の内部に収容された前記被処理基板を加熱する加熱装置と、 前記処理室の内部の圧力を、処理に必要とされる圧力に調整しながら該処理室の内部を排気することが可能な排気装置と、 前記処理室の内部に連通されるガス供給路を有し、前記処理室の内部に、処理に使用するガスを供給する処理ガス供給機構とを備えた成膜装置のクリーニング方法であって、 (1) 前記処理室の内部、および前記処理室の内部に収容された部材をクリーニングする工程と、 (2) 前記処理室の内部、および前記部材それぞれの下部をクリーニングする工程と、 (3) 前記ガス供給路の内部をクリーニングする工程とを具備し、 前記(1)工程は、前記処理室の内部の圧力を第1の圧力帯、並びに前記処理室の内部の温度をクリーニング可能温度以上の第1の温度帯にそれぞれ設定し、前記ガス供給路からクリーニングガスを供給することで行い、 前記(2)工程は、前記処理室の内部の圧力を前記第1の圧力帯よりも高い第2の圧力帯に設定し、前記処理室の内部の温度を前記第1の温度帯よりも高い第2の温度帯に上昇させながら、前記ガス供給路から前記クリーニングガスを供給することで行い、 前記(3)工程は、前記処理室の内部の圧力を前記第2の圧力帯よりも低い第3の圧力帯に設定し、前記処理室の内部の温度を前記第2の温度帯で維持しながら、前記ガス供給路から前記クリーニングガスを供給することで行うことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44
FI (4件)：
H01L21/205 ,  H01L21/302 101H ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 J
Fターム (33件)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA04 ,  4K030LA14 ,  5F004AA15 ,  5F004BB16 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA08 ,  5F004EA28 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB06 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EK27
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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