特許

J-GLOBAL ID：201403087309292700

MgxSi系多孔体及びその製造方法

発明者： 板原 浩 ,  山田 高広 ,  山根 久典
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 畠山 文夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-128452
公開番号（公開出願番号）：特開2013-252982
出願日： 2012年06月05日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：

【課題】実質的にSiのみ又はSiとMg2Siとの複合体からなり、かつ、その内部に3次元的に連なった空隙を有する新規なMgxSi多孔体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】MgxSi系多孔体(0≦x≦1.6)は、実質的にSiのみ又はSiとMg2Siとの複合体からなり、その内部に3次元的に連なった空隙を有する。このようなMgxSi系多孔体は、Mg2Siを減圧下で加熱し、Mgを除去することにより得られる。この場合、加熱前及び/又は加熱後の材料を酸で洗浄しても良い。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

Mg2Siを減圧下で加熱し、Mgを除去することにより、MgxSi系多孔体(0≦x≦1.6)を生成させる加熱工程 を備えたMgxSi系多孔体の製造方法。

IPC (3件)：

C01B 33/06 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/46

FI (3件)：

C01B33/06 ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/46

Fターム (25件)：

4G072AA20 ,  4G072BB05 ,  4G072BB15 ,  4G072DD03 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH02 ,  4G072LL03 ,  4G072MM24 ,  4G072MM26 ,  4G072MM36 ,  4G072TT01 ,  4G072TT08 ,  4G072UU30 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CB01 ,  5H050FA13 ,  5H050GA02 ,  5H050GA12 ,  5H050GA14 ,  5H050HA05 ,  5H050HA06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多孔質シリコン粒子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-195723   出願人：古河電気工業株式会社
• 多孔質シリコン複合体粒子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-195751   出願人：古河電気工業株式会社
• 多孔質シリコン粒子及びその製造方法、並びにリチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-202789   出願人：古河電気工業株式会社