特許
J-GLOBAL ID：201203085959474040
光デバイスウェーハの加工方法および光デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
, 岡田 喜雅
, 菅野 亨
, 溝口 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-001849
公開番号（公開出願番号）：特開2012-146724
出願日： 2011年01月07日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：
【課題】光デバイスウェーハの分割によって形成される光デバイスの輝度を向上すること。【解決手段】本発明の分割方法は、表面に発光層412が積層されたサファイアウェーハWの裏面Wbに窪みを形成する窪み形成工程と、分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハWを個々の光デバイス411に分割する光デバイスウェーハ分割工程とを含み、個々の光デバイス411の裏面Wbに対して様々な角度をもつ外形面を形成する構成とした。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
サファイア基板の表面に発光層が積層され分割予定ラインによって区画された領域に複数の光デバイスが形成された光デバイスウェーハの加工方法であって、
サファイア基板の裏面に複数の窪みを形成して個々の光デバイスの裏面に窪みを形成する窪み形成工程と、
分割予定ラインに沿って光デバイスウェーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウェーハ分割工程と、から少なくとも構成されることを特徴とする光デバイスウェーハの加工方法。
IPC (1件)：
FI (5件)：
H01L21/78 V
, H01L21/78 C
, H01L21/78 F
, H01L21/78 B
, H01L21/78 R
