高電子移動度トランジスタ及びその駆動方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-207061
公開番号（公開出願番号）：特開2014-078710
出願日： 2013年10月02日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその駆動方法を提供する。【解決手段】第1半導体物質を含むチャネル層112と、第2半導体物質を含み、チャネル層に2次元電子ガスを引き起こすチャネル供給層114と、チャネル供給層114の両側に設けられるソース電極151及びドレイン電極152と、チャネル供給層114上に設けられるものであり、2次元電子ガスに空乏領域を形成する空乏形成層130と、ソース電極151とドレイン電極152との間の空乏形成層130上に設けられる第1ゲート電極121と、ソース電極151と第1ゲート電極121との間の空乏形成層130上に、第1ゲート電極121と離隔して設けられる少なくとも一つの第2ゲート電極122と、を含む高電子移動度トランジスタ100。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1半導体物質を含むチャネル層と、第2半導体物質を含み、前記チャネル層に2次元電子ガスを引き起こすチャネル供給層と、前記チャネル供給層の両側に設けられるソース電極及びドレイン電極と、前記チャネル供給層上に設けられ、前記2次元電子ガスに空乏領域を形成する空乏形成層と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記空乏形成層上に設けられる第1ゲート電極と、前記ソース電極と前記第1ゲート電極との間の前記空乏形成層上に、前記第1ゲート電極と離隔して設けられる少なくとも一つの第2ゲート電極と、を含む高電子移動度トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/808 , H01L 21/338 , H01L 21/337 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 27/098

FI (3件)：

H01L29/80 W , H01L29/80 H , H01L29/80 C

Fターム (16件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC05 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102GV05

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-175621 出願人：パナソニック株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-233092 出願人：株式会社東芝
化合物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-334793 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-175621 出願人：パナソニック株式会社
電力変換回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-324355 出願人：パナソニック株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-233092 出願人：株式会社東芝

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