半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-175621
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029506
出願日： 2009年07月28日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】窒化物半導体を用いたノーマリオフ型のトランジスタを備えた半導体装置において、駆動時のゲート電流を低減しつつ、トランジスタの過渡応答特性を安定させる。【解決手段】半導体装置は、基板101と、基板101の上に積層された複数の窒化物半導体層からなり、且つチャネル領域を含む第1の窒化物半導体層104Sと、第1の窒化物半導体層104Sの上に形成され、且つチャネル領域と逆導電型の第2の半導体層105と、第2の半導体層105に接するように形成され、金属層107からなる導電層と、導電層の上に形成された絶縁体層110と、絶縁体層110の上に形成されたゲート電極111と、第2の半導体層105の両側方に形成されたソース電極108及びドレイン電極109とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に積層された複数の窒化物半導体層からなり、且つチャネル領域を含む第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、前記チャネル領域と逆導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層に接するように形成され、金属層又はキャリア濃度が1×1018cm-3以上の高キャリア濃度半導体層からなる導電層と、前記導電層の上に形成された絶縁体層と、前記絶縁体層の上に形成されたゲート電極と、前記第2の半導体層の両側方に形成されたソース電極及びドレイン電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/786 , H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 29/41

FI (7件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 618C , H01L29/78 301B , H01L29/06 301F , H01L29/44 Y

Fターム (88件)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB28 , 4M104DD94 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104GG12 , 5F102FA00 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GS01 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110EE50 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG60 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN14 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN61 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140AA30 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB01 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BE10 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF44 , 5F140BH30 , 5F140CB02 , 5F140CC08 , 5F140CC13 , 5F140CD08

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-233092 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-022023 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-150266 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-233092 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-022023 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-150266 出願人：三菱電機株式会社

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