特許
J-GLOBAL ID：201403097155638787
剥離技法を用いたグラフェンパターンの形成方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 言上 惠一
, 吉田 環
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-511288
公開番号（公開出願番号）：特表2014-519198
出願日： 2012年05月10日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
要約：
本発明は、高分子スタンプを用いる剥離技法を用いて目標とする任意のパターンを有するグラフェンパターンを形成するのに適した剥離技法を用いたグラフェンパターンの形成技法に関する。本発明は、高分子スタンプを用いて基板上に形成されたグラフェン層の一部を物理的に選択剥離させることで、基板上に均一な線幅を有する所望の形態のグラフェンパターンを簡単、且つ、容易に製作でき、また、回転体スタンプを用いるロールツーロール方式又は大面積スタンプを用いる方式で基板上に形成されたグラフェン層の一部を物理的に選択剥離させることで、大面積の基板上に均一な線幅を有する所望の形態のグラフェンパターンを簡単、且つ、容易に製作できる。
請求項（抜粋）：
基板上にグラフェン層を形成する過程と、
陽刻パターンを有する高分子スタンプのパターン面にグラフェン剥離層を形成する過程と、
前記高分子スタンプのパターン面を前記グラフェン層の目標位置に整列させて接着させる過程と、
前記基板から前記高分子スタンプを分離して前記高分子スタンプの陽刻パターン部分に接着されたグラフェン層を前記基板から選択的に剥離させることで、前記基板上にグラフェンパターン層を形成する過程と
を含む剥離技法を用いたグラフェンパターンの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K3/02 A
, C01B31/02 101Z
4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AC16B
, 4G146AD23
, 4G146AD30
, 4G146BC09
, 4G146CB01
, 4G146CB26
, 4G146CB35
, 4G146DA07
, 5E339AB02
, 5E339AC02
, 5E339AC06
, 5E339AD01
, 5E339BB01
, 5E339BD08
, 5E339BD13
, 5E339CF05
, 5E339GG02
