特許
J-GLOBAL ID：201103038500002531

半導体装置およびその製造方法

発明者：
秋元 陽介

秋元 陽介 について

, 
和田 真

和田 真 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (14件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  箱崎 幸雄 ,  出口 智也 ,  山ノ井 傑 ,  木本 大介 ,  重野 隆之 ,  平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-252189
公開番号（公開出願番号）：特開2011-096980
出願日： 2009年11月02日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：
【課題】グラフェンのバリスティック伝導性を利用した低抵抗配線を備え、配線と配線接続部材の接続部分の構成の複雑化を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置100は、基板と、基板の上方に設けられ、積層された複数のグラフェンナノリボンシート122からなるグラフェンナノリボン層121を含む下層配線12と、複数のグラフェンナノリボンシート122の少なくとも1枚を貫通し、下層配線12と上層配線13とを接続するビア14およびバリアメタル15と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上方に設けられ、積層された複数のグラフェンナノリボンシートからなるグラフェンナノリボン層を含む配線と、 前記複数のグラフェンナノリボンシートの少なくとも1枚を貫通し、前記配線と前記配線の上層または下層の導電部材とを接続する配線接続部材と、 を有する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/321 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (3件)：
H01L21/90 A ,  H01L21/88 D ,  H01L21/88 M
Fターム (50件)：
5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK00 ,  5F033KK07 ,  5F033KK15 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033NN02 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN08 ,  5F033NN16 ,  5F033NN17 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX28
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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