特許
J-GLOBAL ID：201403097876612886
ウェハー製造工程の切断方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
▲吉▼川 俊雄
, 市川 寛奈
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-271950
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183310
出願日： 2013年12月27日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：
【課題】制作コストが低下し、製造工程において崩れやクラックが生じることはなく、さらにダイの上面または底部の削りくずを取り除くことができる。【解決手段】ウェハー製造工程の切断方法は、シリコンウェハーを用意し、シリコンウェハーの表面に金属層が形成され、前記金属層にバンプ層が形成され、前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられ、前記シリコンウェハーの裏面に対してハーフカットし分割溝が形成される。次に、前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨した後、一部の分割溝のみが残され、バックグラインドテープを剥がし、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付ける。最後に、金属層にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記分割溝に連通させることで、ダイの切断が完了することを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
a)シリコンウェハーを用意する工程と、
b)シリコンウェハーの表面に金属層が形成される工程と、
c)前記金属層にバンプ層が形成される工程と、
d)前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられる工程と、
e)前記シリコンウェハーの裏面に対してカットし第1分割溝が形成される工程と、
f)前記第1分割溝が形成された後、第2ダイシングブレードを前記第1分割溝の底部に挿入させ、前記第1分割溝の底部に第2分割溝が形成される工程と、
g)前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨し、研磨した後、前記シリコンウェハーの裏面に第2分割溝のみが残される工程と、
h)バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付ける工程と、
i)金属層にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記第2分割溝に連通させることで、ダイの切断が完了する工程と、を含むウェハー製造工程の切断方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B24B 27/06
, H01L 21/304
H01L21/78 Q
, H01L21/78 B
, H01L21/78 F
, B24B27/06 M
, H01L21/304 621B
3C058AA03
, 3C058AA09
, 3C058AA18
, 3C058DA17
, 5F057AA05
, 5F057AA21
, 5F057AA34
, 5F057BA21
, 5F057CA14
, 5F057CA31
, 5F057CA36
, 5F057DA01
, 5F063AA02
, 5F063AA05
, 5F063BA07
, 5F063BA20
, 5F063CB03
, 5F063CB05
, 5F063CB13
, 5F063CB15
, 5F063CB22
, 5F063CB26
, 5F063CC22
, 5F063DD08
, 5F063DD26
, 5F063DD59
, 5F063DF12
, 5F063DG05
, 5F063EE21
, 5F063EE78
