研究者

J-GLOBAL ID：201501015326654950 更新日: 2024年02月14日

堀田昌宏

ホリタマサヒロ | Horita Masahiro

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (2件)：結晶工学 , 電気電子材料工学

研究キーワード (2件)：電子デバイス , III族窒化物半導体

競争的資金等の研究課題 (4件)：

2015 - 2016 高圧水中レーザーアニールによる窒化ガリウム超臨界水低温酸化手法の創出
2011 - 2013 積層構造レーザーアニールによる非晶質基板上単結晶ゲルマニウム薄膜の低温形成
2009 - 2011 同一ポリタイプ4H-AlN/4H-SiCヘテロ界面の電子デバイス応用に関する研究
2008 - 2009 炭化珪素基板上高品質無極性面III族窒化物の成長と電子・光デバイス応用に関する研究

論文 (68件)：

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講演・口頭発表等 (1件)：

Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates
(IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2017)

学歴 (1件)：

2006 - 2009 京都大学工学研究科電子工学専攻

学位 (1件)：

博士(工学) (京都大学)

経歴 (5件)：

2018/10/01 - 現在名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻情報デバイス工学准教授
2018/10/01 - 2038/03/31 名古屋大学未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター未来デバイス部教員
2015/05/01 - 2018/09/30 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻特定助教
2009/04/01 - 2015/04/30 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科助教
2008/04/01 - 2009/03/31 日本学術振興会特別研究員(DC2)

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