文献

J-GLOBAL ID：201802254218885896   整理番号：18A1550102

少数キャリア過渡分光法によるn型GaN中の正孔トラップ濃度を推定する正確な方法

Accurate method for estimating hole trap concentration in n-type GaN via minority carrier transient spectroscopy

著者 (6件)： KANEGAE Kazutaka (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HORITA Masahiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SUDA Jun (Inst. of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS), Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 7  ページ： 071002.1-071002.4  発行年： 2018年07月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 少数キャリア過渡分光法(MCTS)によるn型GaN中の正孔トラップ(H1,EV+0.85eV)濃度の正確な推定のための解析的な方法を提案する。提案した方法は充填(電流注入)期間中における正孔占有と逆バイアス印加直後の空乏層端近くの正孔トラップによる高速キャリア再結合の双方を考慮した。MCTSスペクトルの逆バイアス電圧依存性は,正孔トラップの正孔拡散長と電子捕獲断面積だけでなく,正確なトラップ濃度が決定できることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *少数キャリア ,  *濃度測定 ,  空乏層 ,  キャリア再結合 ,  電圧依存性 ,  *正孔 ,  *窒化ガリウム ,  *化合物半導体 ,  スペクトロスコピー ,  N型半導体 ,  *キャリア捕獲 ,  捕獲断面積
準シソーラス用語： 拡散長 ,  逆バイアス ,  電流注入 ,  少数キャリア過渡分光法

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (29件)：

• S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L139 (1992).
• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
• M. A. Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
• L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N.-Q. Zhang, D. Buttari, I. P. Smorchkova, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 22, 457 (2001).
• J. Suda, K. Yamaji, Y. Hayashi, T. Kimoto, K. Shimoyama, H. Namita, and S. Nagao, Appl. Phys. Express 3, 101003 (2010).

タイトルに関連する用語 (4件)： 少数キャリア ,  GaN ,  正孔トラップ ,  推定