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J-GLOBAL ID:201502209250984320   整理番号:15A0841888

軟X線分光法によって探った酸素空孔を含むTi1-xFexO2-δ薄膜の電子構造

Electronic structure of Ti1-xFexO2-δ thin films with oxygen vacancies probed by soft X-ray spectroscopy
著者 (10件):
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巻: 54  号: 6S1  ページ: 06FJ07.1-06FJ07.4  発行年: 2015年06月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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c軸配向したTi1-xFexO2-δ薄膜の物理的特性と電子構造を,軟X線分光法によって研究した。Feの濃度が増すと,c軸方向の格子定数は増大することが分かった。また,FeイオンはFe2+およびFe3+の混合原子価状態で,高スピン配置を持つことが分かった。Fe置換による酸素空孔の影響で,無占有のTi 3d状態の強度は減少し,占有されたTi3d状態の強度は増大する。バンドギャップ内の電子構造は,Fe3dおよびTi3d状態によって構成され,下部Hubbardバンドの名残に対応している。電気伝導度と密接に関係するフェルミ準位における状態密度(DOS)はTi3d状態から成っている。高濃度にドープされたTi1-xFexO2-δ薄膜の電気伝導度は,Ti3d電子の電子相関のため減少することが分かった。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
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その他の無機化合物の電気伝導  ,  X線スペクトル一般  ,  半導体結晶の電子構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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