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J-GLOBAL ID：201502220134952741   整理番号：15A0901171

省エネ化に貢献するパワーデバイスの最新動向 進化するシリコンパワーデバイス

著者 (1件)： 山崎智幸 (富士電機)
資料名： エネルギー・資源  (Energy and Resources)
巻： 36  号： 4  ページ： 211-214  発行年： 2015年07月10日 
JST資料番号： Z0986A  ISSN： 0285-0494  CODEN： ENESEB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,Siに加えてSiCやGaNなどの化合物半導体の実用化が進み,これらの用いたパワーデバイスの開発が進んでいるが,特にIGBTの成長が著しい。IGBTは通常誘導負荷で使用されるためFWDを逆並列にして用いられるが,このFWDとIGBTを同一チップに形成して小型化を図っているのが,RC-IGBTである。裏面に存在するp⁺コレクター層の端部を,深いp型拡散層やチップ側壁のp型拡散層により,表面側のエッジ構造に接続し,さらにエッジ(耐圧)構造のデザインを最適化することで,逆阻止性能を得ることができる。600Vクラスの素子ではオン電圧を約0.7Vと大幅に低減でき,このRC-IGBTを逆並列に組み合わせることで,低損失ACスイッチが構成され回路応用の幅が広がる。あたらな3レベル回路やマトリックスコンバータなど高効率変換回路への適用が始まっている。同時にチップ性能を最大限発揮するための実装技術も重要であり,両者の継続的な改善により電力変換システムの更なる効率化が進むと期待される。

シソーラス用語： *IGBT ,  窒化ガリウム ,  炭化ケイ素 ,  ダイオード ,  *半導体素子 ,  *実装 ,  *電気回路 ,  電力変換 ,  *電力変換器 ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： 回路実装 ,  *半導体素子実装 ,  パワーデバイス ,  *電力変換回路 ,  マトリックスコンバータ

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (12件)：

• B. J. Baliga; Power Semiconductor Devices, PWM Publishing Company, (1995), 2-5.
• 高橋良和,藤平龍彦,宝泉徹;富士電機技報,87-4(2014),234-239.
• H. Nakano, Y. Onozawa, R. Kawano, T. Yamazaki and Y. Seki, 600V Trench-Gate IGBT with Micro-P Structure, Proceedings of ISPSD, (2009), 132-135.
• Y. Onozawa, D. Ozaki, H. Nakano, T. Yamazaki and N. Fujishima; Development of the Next Generation 1700V Trench-Gate FS-IGBT, Proceedings of ISPSD, (2011), 52-55.
• H. Böving, T. Laska, A. Pugatschow, W. Jakobiet; Ultrathin 400V FS IGBT for HEV Applications, Proceedings of ISPSD, (2011), 64-67

タイトルに関連する用語 (5件)： 省エネ ,  パワーデバイス ,  最新動向 ,  進化 ,  シリコン