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J-GLOBAL ID：201502238594612243   整理番号：15A0127399

超スケールSi-MOSFETの準弾道輸送に対する高まった音響フォノン変形ポテンシャルと表面粗さ散乱の効果

Effects of increased acoustic phonon deformation potential and surface roughness scattering on quasi-ballistic transport in ultrascaled Si-MOSFETs

著者 (10件)： KOBA Shunsuke (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  ISHIDA Ryoma (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  KUBOTA Yuko (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TSUCHIYA Hideaki (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  TSUCHIYA Hideaki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KAMAKURA Yoshinari (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAMAKURA Yoshinari (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  MORI Nobuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Nobuya (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  OGAWA Matsuto (Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 11  ページ： 114301.1-114301.8  発行年： 2014年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 減少した散乱数のためチャンネ長スケーリングによって弾道輸送が強化することは,通説である。他方,音響フォノン(AP)散乱率は,バルクSi-MOSFETでより絶縁体上のシリコン(SOI)MOSFETで高い;さらに,量子化サブバンドの空間変動に起因する表面粗さ(SR)散乱は,極端スケールSOIチャンネルで出てくる。したがって,極薄体Si-MOSFETの弾道輸送に対するこれらの散乱メカニズムの影響をモンテカルロシミュレーション法を使って本稿で調べた。最初に,ドレーン電流と弾道効率への増加したAP散乱率の効果が,無視出来ることが分った。さらにまた,通説に反して,チャンネル長が10nm未満に減少すると,量子化サブバンドの空間変動によって強められた主にSR散乱のためにダブルゲート型MOSFETの弾道輸送は,低下することを示した。弾道効率へのゲートとドレーン・バイアス電位依存性も議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  バリスティック輸送 ,  フォノン ,  ポテンシャル ,  変形 ,  表面粗さ ,  散乱 ,  ケイ素 ,  モンテカルロ法

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (26件)：

• M. Lundstrom, IEEE Electron Device Lett. 18, 361 (1997).
• K. Natori, J. Appl. Phys. 76, 4879 (1994).
• K. Uchida, H. Watanabe, A. Kinoshita, J. Koga, T. Numata, and S. Takagi, IEDM Tech. Dig., 2002, p. 47.
• S. Koba, R. Ishida, Y. Kubota, H. Tsuchiya, Y. Kamakura, N. Mori, and M. Ogawa, IEDM Tech. Dig., 2013, p. 312.
• H. Tsuchiya, K. Fujii, T. Mori, and T Miyoshi, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2965 (2006).

タイトルに関連する用語 (6件)： スケール ,  準弾道輸送 ,  音響フォノン ,  変形ポテンシャル ,  表面粗さ ,  散乱