文献

J-GLOBAL ID：201502255041069950   整理番号：15A0532916

イオン注入シリコンの固相エピタキシャル再成長における歪の役割の再研究

Revisiting the role of strain in solid-phase epitaxial regrowth of ion-implanted silicon

著者 (3件)： HU Kuan-Kan (National Central Univ., Jungli, TWN) ,  LIANG Shin-Yang (National Central Univ., Jungli, TWN) ,  WOON Wei Yen (National Central Univ., Jungli, TWN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 2  ページ： 021302.1-021302.4  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入シリコンの固相エピタキシャル再成長(SPER)動力学を,その場時間分解反射率測定を通して研究した。様々な原子サイズのドーパントと等原子価不純物から生じる歪の役割は,Hall測定と高分解能X線回折から得られる,一部不純物から生じる実際のFermi準位シフトと有効歪を考察して明らかにした。過去のモデルとは対照的に,等原子価不純物から生じた引張・圧縮歪両方の場合にSPER速度遅延が見られた。一般化したFermi準位シフトに歪を取り込んで修正したモデルを提案し,SPER動力学を包括的に説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *ケイ素 ,  エピタクシー ,  固相成長 ,  ドーパント ,  格子歪 ,  Hall効果 ,  X線回折 ,  Fermi準位 ,  歪 ,  *成長速度 ,  原子価 ,  リン ,  ヒ素 ,  ゲルマニウム ,  炭素
準シソーラス用語： *圧縮歪 ,  *引張歪 ,  固相エピタキシー ,  *固相エピタキシャル再成長 ,  高分解能X線回折

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (22件)：

• E. C. Jones and E. Ishida, Mater. Sci. Eng. R 24, 1 (1998).
• E. G. Seebauer and K. W. Noh, Mater. Sci. Eng. R 70, 151 (2010).
• M. Sugitani, Rev. Sci. Instrum. 85, 02C315 (2014).
• L. Pelaz, L. A. Marques, and J. Barbolla, J. Appl. Phys. 96, 5947 (2004).
• N. G. Rudawski, K. S. Jones, and R. Gwilliam, Mater. Sci. Eng. R 61, 40 (2008).

タイトルに関連する用語 (8件)： イオン注入 ,  シリコン ,  固相 ,  エピタキシャル ,  再成長 ,  歪 ,  役割 ,  研究