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J-GLOBAL ID：201502288579268983   整理番号：15A0532979

パルスレーザ成長によるTiH₂金属薄膜の直接成長

Direct growth of metallic TiH₂ thin films by pulsed laser deposition

著者 (10件)： YOSHIMATSU Kohei (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Takayuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TSUCHIMINE Nobuo (Toshima Manufacturing Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  HORIBA Koji (High Energy Accelerator Res. Organization (KEK), Ibaraki, JPN) ,  HORIBA Koji (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KUMIGASHIRA Hiroshi (High Energy Accelerator Res. Organization (KEK), Ibaraki, JPN) ,  KUMIGASHIRA Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OSHIMA Takayoshi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OHTOMO Akira (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OHTOMO Akira (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 3  ページ： 035801.1-035801.4  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ成長により,TiH₂セラミックターゲットを用いてα-Al₂O₃(0001)上に作製した(111)配向,ほぼ化学量論的TiH₂膜(δ相)のレイヤーバイレイヤー成長と電気的性質を報告する。低温でTi金属への分解が抑制されるのに従って,δ相の含有量が増大した。さらに,δ相膜の初期成長の際に高エネルギー電子回折反射強度の振動が長く続く現象が観測された。膜は低温度まで金属伝導性を示した。Tiの2p-3d共鳴光電子分光とHall測定の結果は,伝導電子がTiの3d状態に存在するとした場合と一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パルスレーザ蒸着 ,  *金属薄膜 ,  *薄膜成長 ,  チタン化合物 ,  水素化物 ,  自己組織化 ,  高速電子回折 ,  光電子分光法 ,  *電気伝導率
準シソーラス用語： レイヤーバイレイヤー自己集合 ,  高エネルギー電子回折 ,  水素化チタン

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

引用文献 (26件)：

• L. Schlapbach and A. Züttel, Nature 414, 353 (2001).
• J. J. Reilly and R. H. Wiswall, Jr., Inorg. Chem. 13, 218 (1974).
• E. W. Justi, H. H. Ewe, A. W. Kalberlah, N. M. Saridakis, and M. H. Schaefer, Energy Cony. 10, 183 (1970).
• L. Pickering, J. Li, D. Reed, A. I. Bevan, and D. Book, J. Alloys Compd. 580, 5233 (2013).
• E. Meková, J. Hamtisková, R. Florek, F. Simancík, I. Matko, and P. S. Sr, J. Therm. Anal. Calorimetry 105, 583 (2011).

タイトルに関連する用語 (3件)： パルスレーザ ,  成長 ,  金属薄膜