特許
J-GLOBAL ID：201503001107756817

ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
宍戸 雄一郎

宍戸 雄一郎 について

, 
三隅 貞仁

三隅 貞仁 について

, 
大西 謙司

大西 謙司 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-265660
公開番号（公開出願番号）：特開2015-122423
出願日： 2013年12月24日
公開日（公表日）： 2015年07月02日
要約：
【課題】 包埋用の接着フィルムを備えていても所望のダイシングが可能なダイシング・ダイボンドフィルム及びこれを用いる半導体装置の製造方法、並びに該製造方法により得られる半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明は、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、前記粘着剤層上に積層された接着フィルムとを備えるダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記接着フィルムは、被着体上に固定された第1半導体素子を包埋し、かつ該第1半導体素子とは異なる第2半導体素子を被着体に固定するための接着フィルムであり、前記接着フィルムと前記粘着剤層との間の剥離力が0.03N/20mm以上0.2N/20mm以下であるダイシング・ダイボンドフィルムである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基材及び該基材上に形成された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、 前記粘着剤層上に積層された接着フィルムとを備えるダイシング・ダイボンドフィルムであって、 前記接着フィルムは、被着体上に固定された第1半導体素子を包埋し、かつ該第1半導体素子とは異なる第2半導体素子を被着体に固定するための接着フィルムであり、 前記接着フィルムと前記粘着剤層との間の剥離力が0.03N/20mm以上0.2N/20mm以下であるダイシング・ダイボンドフィルム。
IPC (8件)：
H01L 21/301 ,  C09J 7/02 ,  C09J 201/00 ,  C09J 11/04 ,  H01L 21/52 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (8件)：
H01L21/78 M ,  H01L21/78 Q ,  C09J7/02 Z ,  C09J201/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/52 E ,  H01L21/52 C ,  H01L25/08 E
Fターム (25件)：
4J004CB03 ,  4J004EA04 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040KA42 ,  4J040LA06 ,  4J040NA20 ,  5F047AA11 ,  5F047AA17 ,  5F047BA34 ,  5F047BA35 ,  5F047BA39 ,  5F047BA54 ,  5F047BB03 ,  5F047BB19 ,  5F063AA18 ,  5F063CC32 ,  5F063EE04 ,  5F063EE07 ,  5F063EE13 ,  5F063EE14 ,  5F063EE16 ,  5F063EE17 ,  5F063EE43 ,  5F063EE44
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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