特許
J-GLOBAL ID：201103044639596380

熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法

発明者：
菅生 悠樹

菅生 悠樹 について

, 
田中 俊平

田中 俊平 について

, 
井上 剛一

井上 剛一 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-095172
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228399
出願日： 2010年04月16日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【課題】 ダイボンドフィルムが引張張力により好適に破断される熱硬化型ダイボンドフィルムを提供すること。【解決手段】 半導体ウェハにレーザー光を照射して改質領域を形成した後、半導体ウェハを改質領域にて破断することにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法、又は、半導体ウェハの表面に裏面まで達しない溝を形成した後、半導体ウェハの裏面研削を行い、裏面から溝を表出させることにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法に使用される熱硬化型ダイボンドフィルムであって、熱硬化前における25°Cでの破断伸び率が40%より大きく500%以下である熱硬化型ダイボンドフィルム。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェハにレーザー光を照射して改質領域を形成した後、前記半導体ウェハを前記改質領域にて破断することにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法、又は、半導体ウェハの表面に裏面まで達しない溝を形成した後、前記半導体ウェハの裏面研削を行い、前記裏面から前記溝を表出させることにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法に使用される熱硬化型ダイボンドフィルムであって、 熱硬化前における25°Cでの破断伸び率が40%より大きく500%以下であることを特徴とする熱硬化型ダイボンドフィルム。
IPC (7件)：
H01L 21/301 ,  C09J 7/02 ,  C09J 163/00 ,  C09J 133/00 ,  C09J 161/10 ,  C09J 201/00 ,  H01L 21/52
FI (10件)：
H01L21/78 M ,  H01L21/78 X ,  H01L21/78 Y ,  H01L21/78 B ,  C09J7/02 Z ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  C09J161/10 ,  C09J201/00 ,  H01L21/52 E
Fターム (28件)：
4J004AA05 ,  4J004AA10 ,  4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AB01 ,  4J004AB05 ,  4J004CA06 ,  4J004CB03 ,  4J004CE01 ,  4J004EA06 ,  4J004FA08 ,  4J040CA001 ,  4J040DF001 ,  4J040DF031 ,  4J040EB051 ,  4J040EB061 ,  4J040EC061 ,  4J040EC071 ,  4J040JA09 ,  4J040JB02 ,  4J040JB09 ,  4J040LA02 ,  4J040MA01 ,  4J040NA20 ,  4J040PA42 ,  5F047BA23 ,  5F047BA33 ,  5F047BB18
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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