特許
J-GLOBAL ID：201503001642837036
圧電薄膜付き基板及び圧電素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-192519
公開番号（公開出願番号）：特開2014-030037
特許番号：特許第5801364号
出願日： 2013年09月18日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の熱膨張係数を有する基板と、
第2の熱膨張係数を有して所定の成膜条件で前記基板上方に成膜され、一般式が(K,Na)NbO3であるペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウムの圧電薄膜とを備え、
前記圧電薄膜を形成された前記基板は、前記第1の熱膨張係数及び前記第2の熱膨張係数の差に基づいて、室温における反りが10m以上の曲率半径を有し、
前記圧電薄膜が形成される側の面とは反対側の面には、前記圧電薄膜の歪を緩和するための歪緩和層は設けられていないことを特徴とする圧電薄膜付き基板。
IPC (8件)：
H01L 41/187 ( 200 6.01)
, H01L 41/09 ( 200 6.01)
, H01L 41/047 ( 200 6.01)
, H01L 41/113 ( 200 6.01)
, H01L 41/29 ( 201 3.01)
, H01L 41/316 ( 201 3.01)
, C23C 14/34 ( 200 6.01)
, C01G 33/00 ( 200 6.01)
H01L 41/187
, H01L 41/09
, H01L 41/047
, H01L 41/113
, H01L 41/29
, H01L 41/316
, C23C 14/34 A
, C01G 33/00 A
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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