特許
J-GLOBAL ID：201503002848226595
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-143061
公開番号（公開出願番号）：特開2015-222827
出願日： 2015年07月17日
公開日（公表日）： 2015年12月10日
要約：
【課題】アクティブマトリクス型表示装置等の半導体装置において、トランジスタの駆動能力を低下させることなく寄生容量の容量値を低減することを課題の一とする。または、寄生容量の容量値を低減した半導体装置を低コストに提供することを課題の一とする。【解決手段】トランジスタのゲート電極と同一の材料層で形成される配線と、ソース電極またはドレイン電極と同一の材料層で形成される配線との間に、ゲート絶縁層以外の絶縁層を設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電層と、
前記第1の導電層上の第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第2の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第3の導電層と、
前記酸化物半導体層上、前記第2の導電層上、及び前記第3の導電層上の第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上に位置し、前記第3の導電層と電気的に接続された画素電極と、を有し、
前記第1の導電層は、トランジスタのゲート電極として機能する第1の領域と、ゲート配線として機能する第2の領域とを有し、
前記第1の領域は、前記第1の絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と重なり、
前記第2の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する第3の領域と、ソース配線として機能する第4の領域とを有し、
前記第3の導電層は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第2の領域と前記第4の領域とが互いに重なる第1の部分を有し、
前記第1の部分には、透明導電層が重なることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/28
, G09F 9/30
H01L29/78 612C
, H01L29/78 618B
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
, G09F9/30 338
