トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-070480
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204891
出願日： 2010年03月25日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：

【課題】動作層に与える影響が小さく且つ絶縁性を向上した下地層を備えたトランジスタを実現できるようにする。【解決手段】トランジスタは、基板300の上に形成された下地層301と、下地層301の上に形成された窒化物半導体からなる動作層302とを備えている。下地層301は、複数の窒化物半導体層が積層された積層体である。下地層301は、遷移金属であるコバルト、ニッケル、ルテニウム、オスミウム、ロジウム及びイリジウムのうちの少なくとも1つを含む遷移金属含有層を有している。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

基板と前記基板の上に形成された下地層と、前記下地層の上に形成された窒化物半導体からなる動作層とを備え、前記下地層は、複数の窒化物半導体層が積層された積層体であり、遷移金属であるコバルト、ニッケル、ルテニウム、オスミウム、ロジウム及びイリジウムのうちの少なくとも1つを含む遷移金属含有層を有していることを特徴とするトランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 21/337 , H01L 29/808

FI (4件)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , C23C16/34 , H01L29/80 C

Fターム (45件)：

4K030AA11 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030CA17 , 4K030DA02 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB06 , 5F045CA05 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA63 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GM09 , 5F102GM10 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (8件)

エピタキシャル基板およびIII族窒化物層群の転位低減方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-136792 出願人：日本碍子株式会社
化合物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-038905 出願人：富士通株式会社
半導体積層構造、半導体素子及び当該半導体素子を用いた装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-097639 出願人：日本碍子株式会社

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