特許
J-GLOBAL ID：201503003786421759
グラフェン素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
阿部 達彦
, 実広 信哉
, 崔 允辰
, 木内 敬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-075897
公開番号（公開出願番号）：特開2015-156500
出願日： 2015年04月02日
公開日（公表日）： 2015年08月27日
要約：
【課題】グラフェン素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】埋込みゲート(embedded gate)上に形成された上部酸化膜と、該上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び電極と、を含み、基板上に1つまたは離隔された複数の埋込みゲートが備えられ、グラフェンチャネルと電極は、順次に積層されるか、その逆順に積層されうるグラフェン素子である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成された少なくとも1つの埋込みゲート(embedded gate)と、
前記少なくとも1つの埋込みゲート上に形成された上部酸化膜と、
前記上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び複数の電極と、を含むグラフェン素子。
IPC (6件)：
H01L 29/786
, C01B 31/02
, H01L 29/06
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 51/40
H01L29/78 618B
, C01B31/02 101Z
, H01L29/78 618E
, H01L29/78 617N
, H01L29/06 601N
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250E
, H01L29/28 310E
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
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