特許
J-GLOBAL ID:201503004303566073
太陽電池及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
岩池 満
, 北村 明弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-265871
公開番号(公開出願番号):特開2015-122435
出願日: 2013年12月24日
公開日(公表日): 2015年07月02日
要約:
【課題】太陽電池として用いるシリコン基板と銅電極配線との間の相互拡散を抑止し、銅配線の密着性を高め、オーミック接触特性を得るための界面層を提供する。【解決手段】シリコン基板1を有するシリコン太陽電池において、前記シリコン基板上に形成された金属酸化物層100と、前記金属酸化物層上に形成された銅を主体とする配線10と、を備え、前記金属酸化物層は、(a)チタンまたはマンガンのいずれか1種と、(b)バナジウム、ニオブ、タンタルまたはシリコンのいずれか1種と、(c)銅およびニッケルの少なくとも一種とを含む。また、前記金属酸化物層は、銅またはニッケルが金属粒子として金属酸化物層の内部に分散するものを含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
シリコン基板を有するシリコン太陽電池において、
前記シリコン基板上に形成された金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上に形成された銅を主体とする配線と、
を備え、
前記金属酸化物層は、(a)チタンまたはマンガンのいずれか1種と、(b)バナジウム、ニオブ、タンタルまたはシリコンのいずれか1種と、(c)銅およびニッケルの少なくとも一種と、を含むことを特徴とするシリコン太陽電池。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (10件):
5F151AA02
, 5F151CB13
, 5F151CB20
, 5F151CB24
, 5F151FA06
, 5F151FA10
, 5F151FA13
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA03
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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