特許
J-GLOBAL ID：201503004953241305

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
苫米地 秀一

苫米地 秀一 について

, 
小谷 淳二

小谷 淳二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-202017
公開番号（公開出願番号）：特開2015-070064
出願日： 2013年09月27日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：
【課題】窒化物半導体装置において、基板等の反りが少なく、耐圧を高くする。【解決手段】基板10の上に形成された第1の超格子バッファ層21と、第1の超格子バッファ層21の上に形成された第2の超格子バッファ層22と、第2の超格子バッファ層22の上の、第1の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層と、第2の半導体層の上に形成されたゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、第1の超格子バッファ層21は、第1の超格子形成層21aと第2の超格子形成層21bとを交互に周期的に積層することにより形成されており、第2の超格子バッファ層22は、第1の超格子形成層22aと第2の超格子形成層22bとを交互に周期的に積層することにより形成されており、第2の超格子バッファ層22にドープされているアクセプタ不純物元素の濃度は、第1の超格子バッファ層21にドープされているアクセプタ不純物元素の濃度よりも高い。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された第1の超格子バッファ層と、 前記第1の超格子バッファ層の上に形成された第2の超格子バッファ層と、 前記第2の超格子バッファ層の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極と、 を有し、 前記第1の超格子バッファ層は、第1の超格子形成層と第2の超格子形成層とを交互に周期的に積層することにより形成されており、 前記第2の超格子バッファ層は、第1の超格子形成層と第2の超格子形成層とを交互に周期的に積層することにより形成されており、 第1の超格子形成層はAlxGa1-xNにより形成されており、第2の超格子形成層はAlyGa1-yNにより形成されており、x>yとなるものであって、 前記第2の超格子バッファ層にドープされているアクセプタとなる不純物元素の濃度は、前記第1の超格子バッファ層にドープされているアクセプタとなる不純物元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/205 ,  H02M 3/28
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/205 ,  H02M3/28 Z
Fターム (61件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA60 ,  5F045EK26 ,  5F045EK27 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F140AA25 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD11 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG27 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140CC08 ,  5H730AS01 ,  5H730AS05 ,  5H730BB27 ,  5H730CC01 ,  5H730DD04 ,  5H730EE14 ,  5H730EE19 ,  5H730ZZ15
引用特許：
審査官引用 (7件)
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