特許
J-GLOBAL ID:201503006750613090
ガス供給部、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-058275
公開番号(公開出願番号):特開2015-185578
出願日: 2014年03月20日
公開日(公表日): 2015年10月22日
要約:
【課題】ガスノズルを交換する際にガスノズルが破損するリスクを低減し、ノズル交換メンテナンス時のメンテナンス性向上およびメンテナンス所要時間の短縮が可能となるガス供給部や半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも1つのガス供給孔を有する直管部と、 前記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、 前記下端部を載置する載置部と、 前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し 前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部との接触面にガスを導入する導入孔が形成されているガス供給部 を有する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
少なくとも1つのガス供給孔を有する直管部と、
前記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、
前記下端部を載置する載置部と、
前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し
前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部との接触面にガスを導入する導入孔が形成されているガス供給部。
IPC (3件):
H01L 21/31
, H01L 21/205
, C23C 16/455
FI (3件):
H01L21/31 B
, H01L21/205
, C23C16/455
Fターム (17件):
4K030BA29
, 4K030BA40
, 4K030BA44
, 4K030BB03
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030GA12
, 4K030LA15
, 5F045AB03
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045BB20
, 5F045DP19
, 5F045EC07
, 5F045EF03
引用特許:
出願人引用 (7件)
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-083579
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-039906
出願人:株式会社日立国際電気
-
縦型熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-037355
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
ハイブリッドガスインジェクタ
公報種別:公表公報
出願番号:特願2012-531072
出願人:フェローテック(ユーエスエー)コーポレイション
-
基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-207632
出願人:株式会社日立国際電気
-
熱処理装置用の構成部品及び熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-014645
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
管継手
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-273802
出願人:ナスコフィッティング株式会社
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審査官引用 (7件)
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-083579
出願人:東京エレクトロン株式会社
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-039906
出願人:株式会社日立国際電気
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縦型熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-037355
出願人:東京エレクトロン株式会社
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ハイブリッドガスインジェクタ
公報種別:公表公報
出願番号:特願2012-531072
出願人:フェローテック(ユーエスエー)コーポレイション
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-207632
出願人:株式会社日立国際電気
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熱処理装置用の構成部品及び熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-014645
出願人:東京エレクトロン株式会社
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管継手
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-273802
出願人:ナスコフィッティング株式会社
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