RE123結晶膜作成方法。

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田邊義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-092661
公開番号（公開出願番号）：特開2015-209363
出願日： 2014年04月28日
公開日（公表日）： 2015年11月24日
要約：

【課題】従来の気相成長法に比して低温かつ高速成膜可能であって真空環境を必要としないRE123結晶膜作成方法を提供すること。【解決手段】希土類系銅酸化物高温超伝導体REBa2Cu3Oy(ただし、REは希土類元素を表し、yは6〜7を表す。)を基板上に膜成長させる方法であって、RE:Ba:Cuの組成比が1:2〜3:2〜7の間となる様に調整した原料を、溶融させた水酸化に溶解させること(溶融水酸化物法)で、500°Cを越え700°C未満の還元雰囲気下において基板上にREBa2Cu3Oyを膜成長させることを特徴とする結晶膜作成方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

希土類系銅酸化物高温超伝導体REBa2Cu3Oy(ただし、REは希土類元素を表し、yは6〜7を表す。)を基板上に膜成長させる方法であって、 RE:Ba:Cuの組成比が1:2〜3:2〜7の間となる様に調整した原料を、500°Cを越え700°C未満の還元雰囲気下において、溶融した水酸化物に溶解させ、基板上にREBa2Cu3Oyを膜成長させることを特徴とする結晶膜作成方法。

IPC (4件)：

C01G 3/00 , C01G 1/00 , H01B 13/00 , H01B 12/06

FI (4件)：

C01G3/00 , C01G1/00 S , H01B13/00 565D , H01B12/06

Fターム (14件)：

4G047JA03 , 4G047JC02 , 4G047KD09 , 5G321AA02 , 5G321AA04 , 5G321BA01 , 5G321BA07 , 5G321CA04 , 5G321CA21 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321CA28 , 5G321DB28 , 5G321DB47

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-009793
単一電子トンネルトランジスタ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-074838 出願人：富士電機株式会社
蒸着薄膜の作製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-127495 出願人：三菱化成株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

溶融水酸化物法を用いたREBa2Cu4O7-δの合成と生成温度領域の検証
溶融水酸化物法を用いたREBa2Cu3O7-δの希土類(RE)置換と物性評価

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