特許
J-GLOBAL ID：201503007646745134
不揮発性メモリおよび書き込み方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-083044
公開番号（公開出願番号）：特開2015-195071
出願日： 2014年04月14日
公開日（公表日）： 2015年11月05日
要約：
【課題】ページ間の誤り発生確率の偏りを低減する不揮発性メモリを得ること。【解決手段】不揮発性メモリは、メモリセルが記憶する3ビットが3ページに対応し、第1のページの書き込みでは、ビット値によりしきい値電圧を第1または第2のしきい値領域に設定し、第2のページの書き込みでは、第1のしきい値領域の場合はビット値により第1または第4のしきい値領域に設定し、第2のしきい値領域の場合はビット値により第2または第3のしきい値領域に設定し、第3のページの書き込みでは、第1のしきい値領域内の場合はビット値により第1または第6のしきい値領域に設定し、第2のしきい値領域内の場合はビット値により第2または第7のしきい値領域に設定し、第3のしきい値領域内の場合はビット値により第3または第8のしきい値領域に設定し、第4のしきい値領域内の場合はビット値により第4または第5のしきい値領域に設定する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
しきい値電圧の低い順に領域が定義された第1から第8までの8つのしきい値領域に、3ビットを対応させてデータを記憶するメモリセルを複数有し、前記3ビットは第1から第3のページにそれぞれ対応し、未書き込みの前記メモリセルのしきい値電圧は前記第1のしきい値領域に設定されるメモリセルアレイと、
未書き込みのメモリセルに前記第1のページの書き込みを行う場合、前記第1のページに書き込むビット値に応じて該メモリセルのしきい値電圧を前記第1のしきい値領域または前記第2のしきい値領域に設定し、前記第1のページの書き込みが行われた前記メモリセルに前記第2のページの書き込みを行う場合、該メモリセルのしきい値電圧が前記第1のしきい値領域内である場合には前記第2のページに書き込むビット値に応じて該メモリセルのしきい値電圧を前記第1のしきい値領域または前記第4のしきい値領域に設定し、該メモリセルのしきい値電圧が前記第2のしきい値領域内である場合には前記第2のページに書き込むビット値に応じて該メモリセルのしきい値電圧を前記第2のしきい値領域または前記第3のしきい値領域に設定し、前記第2のページの書き込みが行われた前記メモリセルに前記第3のページの書き込みを行う場合、該メモリセルのしきい値電圧が前記第1のしきい値領域内である場合には前記第3のページに書き込むビット値に応じて該メモリセルのしきい値電圧を前記第1のしきい値領域または前記第6のしきい値領域に設定し、該メモリセルのしきい値電圧が前記第2のしきい値領域内である場合には前記第3のページに書き込むビット値に応じて該メモリセルのしきい値電圧を前記第2のしきい値領域または前記第7のしきい値領域に設定し、該メモリセルのしきい値電圧が前記第3のしきい値領域内である場合には前記第3のページに書き込むビット値に応じて該メモリセルのしきい値電圧を前記第3のしきい値領域または前記第8のしきい値領域に設定し、該メモリセルのしきい値電圧が前記第4のしきい値領域内である場合には前記第3のページに書き込むビット値に応じて該メモリセルのしきい値電圧を前記第4のしきい値領域または前記第5のしきい値領域に設定する制御部と、
を備える不揮発性メモリ。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G11C17/00 611G
, G11C17/00 641
, G11C17/00 613
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125CA02
, 5B125CA14
, 5B125CA19
, 5B125CA27
, 5B125DA09
, 5B125DB02
, 5B125DB08
, 5B125DB09
, 5B125DB18
, 5B125DB19
, 5B125DE08
, 5B125EA05
, 5B125EG17
, 5B125FA01
, 5B125FA06
, 5B225BA02
, 5B225BA19
, 5B225CA01
, 5B225CA02
, 5B225CA14
, 5B225CA19
, 5B225CA27
, 5B225DA09
, 5B225DB02
, 5B225DB08
, 5B225DB09
, 5B225DB28
, 5B225DB29
, 5B225DE08
, 5B225EA05
, 5B225EG17
, 5B225FA01
, 5B225FA06
