特許
J-GLOBAL ID：200903086117019737

不揮発性半導体記憶装置及びメモリシステム

発明者：
本間 充祥

本間 充祥 について

, 
柴田 昇

柴田 昇 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-228271
公開番号（公開出願番号）：特開2009-059453
出願日： 2007年09月03日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
【課題】各ページデータの読み出し回数を平均化させるように書き込みをすることを可能とする。【解決手段】半導体記憶装置は、書き込み動作時には、隣接するしきい値分布に割り付けられたxビットのデータが1ビットだけ異なり、且つ2x個のしきい値分布の並びに対応する2x個のxビットのデータのうちの同一桁のデータの並びに“0”と“1”の変化点を少なくとも2箇所含む第1のビット割付パターンに基づいて、書き込み動作を実行し、読み出し動作時には、ワード線に接続された複数のメモリセルに記憶されたxビットのデータのうちの同一桁のビットのデータの集合をページとし、第1の割付パターンに基づいて、ページ単位で“0”と“1”の変化点に対応する読み出し電圧を前記ワード線に与えて、メモリセルに記憶されたxビットのデータを1ビットずつ確定していく。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
選択行方向に延びるワード線と選択列方向に延びるビット線とに接続され、しきい値が2x個(xは3以上の整数)のしきい値分布のうちの何れか一つに属するように設定されることにより前記しきい値分布に対応したxビットのデータを記憶するメモリセルを複数備え、これらメモリセルをマトリクス状に配置してなるメモリセルアレイ、 前記ワード線に接続され、データの書き込み又は読み出しを行うメモリセルに接続されたワード線に書き込み電圧、書き込みベリファイ電圧又は読み出し電圧を印加するワード線制御回路、 前記ビット線に接続され、前記メモリセルに記憶されたデータを読み出し、この読み出されたデータ及び前記メモリセルに書き込むデータを保持するセンスアンプ回路、及び 前記書き込み電圧、書き込みベリファイ電圧及び読み出し電圧を生成すると共に各部を制御する制御信号を生成して前記メモリセルに対するデータの書き込み及び読み出しを制御する制御回路 を有する不揮発性半導体記憶装置と、 この不揮発性半導体記憶装置のデータの読み出し及び書き込みを制御するコントローラと を備えたメモリシステムであって、 書き込み動作時には、隣接するしきい値分布に割り付けられたxビットのデータが1ビットだけ異なり、且つ2x個のしきい値分布の並びに対応する2x個のxビットのデータのうちの同一桁のデータの並びに“0”と“1”の変化点を少なくとも2箇所含む第1のビット割付パターンに基づいて入力された入力データを、書き込み時のしきい値分布の移動量が前記第1のビット割付パターンよりも抑制された第2のビット割付パターンに変換し、この第2のビット割付パターンに基づいて前記ワード線に書き込み電圧を印加して前記メモリセルのしきい値を移動させる書き込み動作と、前記ワード線に書き込みベリファイ電圧を与えて前記しきい値を確認するベリファイ動作とを繰り返すことにより、前記メモリセルにxビットのデータを書き込み、 読み出し動作時には、ワード線に接続された複数のメモリセルに記憶されたxビットのデータのうちの同一桁のビットのデータの集合をページとし、前記第1の割付パターンに基づいて、ページ単位で前記“0”と“1”の変化点に対応する読み出し電圧を前記ワード線に与えて、前記メモリセルに記憶されたxビットのデータを1ビットずつ確定していく ことを特徴とするメモリシステム。
IPC (3件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06
FI (9件)：
G11C17/00 601C ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 611G ,  G11C17/00 601E ,  G11C17/00 601T ,  G11C17/00 639C ,  G11C17/00 634G
Fターム (17件)：
5B125BA01 ,  5B125BA19 ,  5B125CA29 ,  5B125DB02 ,  5B125DB08 ,  5B125DB19 ,  5B125DD05 ,  5B125DD08 ,  5B125DE08 ,  5B125DE11 ,  5B125EA05 ,  5B125ED04 ,  5B125ED07 ,  5B125EF02 ,  5B125EJ08 ,  5B125FA02 ,  5B125FA06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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