半導体デバイス、その製造方法、及びその製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：別役重尚 , 村松聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-049797
公開番号（公開出願番号）：特開2015-176885
出願日： 2014年03月13日
公開日（公表日）： 2015年10月05日
要約：

【課題】酸化物半導体の特性変化を防止し、且つ寄生容量の小さい半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】下方からゲート電極12、IGZO膜40及びチャネル保護膜17が積層された積層構造を備えるTFT10では、ゲート電極12の幅が反映された幅を有するフォトレジストマスク41aをマスクとして利用してチャネル保護膜17を部分的に除去することにより、IGZO膜40を部分的に露出させ(図3(H))、露出したIGZO膜40及び残存するチャネル保護膜17を、フッ化珪素ガス及び窒素ガスが混合され、且つ水素を含まない処理ガスから生じたプラズマに晒してフッ素含有窒化珪素膜からなるパシベーション膜18で覆い(図4(B))、パシベーション膜18を形成する際、露出した IGZO膜40へパシベーション膜18からフッ素原子を拡散させてソース領域15やドレイン領域16を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極、酸化物半導体からなる半導体膜及び該半導体膜の上に絶縁膜が積層された積層構造を備える半導体デバイスの製造方法であって、前記ゲート電極をマスクとして利用して前記絶縁膜を部分的に除去することにより、前記半導体膜を部分的に露出させる半導体膜露出ステップと、ハロゲン化珪素ガス及び窒素含有ガスが混合され、且つ水素を含まない処理ガスからプラズマを生じさせ、少なくとも前記露出した半導体膜を前記プラズマに晒し、且つ前記露出した半導体膜及び残存する前記絶縁膜をハロゲン含有窒化珪素膜からなる保護膜で覆う保護膜形成ステップとを有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/318

FI (5件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 616N , H01L29/78 627E , H01L29/78 616L , H01L21/318 B

Fターム (38件)：

5F058BC08 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BJ01 , 5F110AA08 , 5F110AA19 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110DD11 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ18 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN13 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110QQ12 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (8件)

薄膜トランジスター、これを備える薄膜トランジスター表示板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-027373 出願人：三星ディスプレイ株式會社
特開昭61-256735
特開昭61-256735

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