特許
J-GLOBAL ID：201403045646072971

スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者：
矢野 公規

矢野 公規 について

, 
川嶋 浩和

川嶋 浩和 について

, 
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
笘井 重和

笘井 重和 について

, 
笠見 雅司

笠見 雅司 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-193862
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029032
出願日： 2013年09月19日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：
【課題】移動度が高く、S値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。【解決手段】 In(インジウム)元素、Zn(亜鉛)元素及びGa(ガリウム)元素を下記(1)〜(3)の原子比で含む複合酸化物からなるスパッタリングターゲット。 In/(In+Zn)=0.2〜0.8 (1) In/(In+Ga)=0.59〜0.99 (2) Zn/(Ga+Zn)=0.29〜0.99 (3)【選択図】図1
請求項（抜粋）：
In(インジウム)元素、Zn(亜鉛)元素及びGa(ガリウム)元素を下記(1)〜(3)の原子比で含む複合酸化物からなるスパッタリングターゲット。 In/(In+Zn)=0.2〜0.8 (1) In/(In+Ga)=0.59〜0.99 (2) Zn/(Ga+Zn)=0.29〜0.99 (3)
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
C23C14/34 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618F
Fターム (82件)：
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029GA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110NN12 ,  5F110NN13 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN40 ,  5F110NN41 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN49 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ12
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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