特許
J-GLOBAL ID：201303036464837844

薄膜トランジスター、これを備える薄膜トランジスター表示板およびその製造方法

発明者：
李 制 勳

李 制 勳 について

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宋 俊 昊

宋 俊 昊 について

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呂 倫 鐘

呂 倫 鐘 について

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▲ジョン▼ 載 肋

▲ジョン▼ 載 肋 について


出願人/特許権者：
三星ディスプレイ株式會社

三星ディスプレイ株式會社 について


代理人 (2件)： 山下 託嗣 ,  仁野 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-027373
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251526
出願日： 2013年02月15日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
【課題】 薄膜トランジスターのゲート電極と、半導体層のソース領域またはドレイン領域との間の寄生容量が低減され、その特性が向上する薄膜トランジスター、寄生容量によるキックバック電圧が下げられて信号遅延および歪みが低減される薄膜トランジスター表示板およびその製造方法の提供。【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極の上または下に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲート電極と重なり合うチャネル領域と、前記チャネル領域と同じ層に位置し、前記チャネル領域と接続されており、前記チャネル領域を中心として相対向するソース領域およびドレイン領域と、を備え、前記チャネル領域と、前記ソース領域および前記ドレイン領域は酸化物半導体を含み、前記ソース領域および前記ドレイン領域のキャリア濃度が前記チャネル領域のキャリア濃度よりも大きいことを特徴とする薄膜トランジスター。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 前記ゲート電極の上または下に位置するゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲート電極と重なり合うチャネル領域と、 前記チャネル領域と同じ層に位置し、前記チャネル領域と接続されており、前記チャネル領域を中心として相対向するソース領域およびドレイン領域と、 を備え、 前記チャネル領域と、前記ソース領域および前記ドレイン領域は酸化物半導体を含み、前記ソース領域および前記ドレイン領域のキャリア濃度が前記チャネル領域のキャリア濃度よりも大きいことを特徴とする薄膜トランジスター。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00
FI (7件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/00 338
Fターム (89件)：
2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092MA27 ,  2H092MA41 ,  2H092NA23 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107EE03 ,  3K107GG00 ,  3K107HH05 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA52 ,  5C094CA19 ,  5C094EA10 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094JA02 ,  5F110AA02 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ17 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN14 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN49 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5G435AA16 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435BB13 ,  5G435CC09 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05
引用特許：
審査官引用 (12件)
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