MOSイメージセンサ

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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 柴山健一 , 城戸博兒 , 池田正人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006066
公開番号（公開出願番号）：特開2013-093609
特許番号：特許第5829224号
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数の画素が2次元状に配置されているMOSイメージセンサであって、第1導電型の半導体領域と第2導電型の半導体領域とで形成されたpn接合を各前記画素として有するシリコン基板を備え、前記シリコン基板には、該シリコン基板の一の主面側に第1導電型のアキュムレーション層が形成されていると共に、前記一の主面における少なくとも前記pn接合に対向する領域に不規則な凹凸が形成されており、前記シリコン基板の前記一の主面における前記pn接合に対向し、かつ、不規則な前記凹凸が形成された前記領域は、前記アキュムレーション層の表面に含まれていると共に、光学的に露出し、少なくとも前記pn接合に対向する前記領域に不規則な前記凹凸が形成された前記一の主面が光入射面とされて、前記一の主面から入射した光が前記シリコン基板内を進み、前記シリコン基板内を進む光が、不規則な前記凹凸により反射、散乱、又は拡散される、裏面入射型であることを特徴とするMOSイメージセンサ。

IPC (1件)：

H01L 31/10 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (10件)

特許第5185206号
裏面入射型光検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-278567 出願人：浜松ホトニクス株式会社
光センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-244388 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社

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