特許
J-GLOBAL ID：201003034693370610
半導体ウェハの処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-008479
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165963
出願日： 2009年01月19日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：
【課題】チッピングの発生を抑えてダイシングすることを可能とする半導体ウェハ処理方法を提供する。【解決手段】前記半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合する工程(a)と、前記半導体ウェハの非パターン面を研削する工程(b)と、研削した前記非パターン面に水溶性フィルムを加熱により貼合する工程(c)と、前記半導体ウェハのストリートに沿って前記水溶性フィルムを切断して溝を設ける工程(d)と、前記水溶性フィルム側から前記半導体ウェハをプラズマ処理して、前記半導体ウェハを個片化する工程(e)と、前記水溶性フィルムを水洗浄により溶解・除去する工程(f)と、前記半導体ウェハの非パターン面を、リングフレームに支持固定された支持固定用テープに貼付する工程(g)と、前記表面保護フィルムを前記半導体ウェハのパターン面から剥がす工程(h)と、を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを個片化する半導体ウェハの処理方法であって、
前記半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合する工程(a)と、
前記半導体ウェハの非パターン面を研削する工程(b)と、
研削した前記非パターン面に水溶性フィルムを加熱により貼合する工程(c)と、
前記半導体ウェハのストリートに沿って前記水溶性フィルムを切断して溝を設ける工程(d)と、
前記水溶性フィルム側から前記半導体ウェハをプラズマ処理して、前記半導体ウェハを個片化する工程(e)と、
前記水溶性フィルムを水洗浄により溶解・除去する工程(f)と、
前記半導体ウェハの非パターン面を、リングフレームに支持固定された支持固定用テープに貼付する工程(g)と、
前記表面保護フィルムを前記半導体ウェハのパターン面から剥がす工程(h)と、
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/78 M
, H01L21/78 S
