特許
J-GLOBAL ID：201103097521182846
半導体ダイを形成する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
本城 雅則
, 本城 吉子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-007522
公開番号（公開出願番号）：特開2011-146717
出願日： 2011年01月18日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：
【課題】 従来は、軸方向に伸びるシンギュレーション・ラインを使用したので、半導体ダイは、これらのシンギュレーション・ラインのために、正方形および長方形の規則的な形状を有することを余儀なくされた。【解決手段】 一実施例において、非矩形の形状を有する半導体ダイおよび様々な異なる形状を有する半導体ダイが形成され、半導体ウエハからシンギュレートされる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
上部表面および底部表面を有する半導体ウエハを提供する段階と、
前記半導体ウエハの前記上部表面上に複数の半導体ダイを形成する段階であって、前記複数の半導体ダイの2またはそれ以上のダイは、非矩形の形状、周囲に沿って少なくとも1つの突出を有する形状、多重連結の形状、少なくとも1つの湾曲部を有する形状、非対称の形状、周囲まわりの距離が異なる値、および、不規則な形状のうちの1つである周囲を有し、前記不規則な形状は、前記半導体ウエハを軸方向に横断して伸びるシンギュレーション・ラインを使用することによって前記不規則な形状をシンギュレートすることを妨げる、段階と、
前記半導体ダイの間にある前記半導体ウエハの領域としてシンギュレーション領域を形成する段階と、
前記複数の半導体ダイを同時にシンギュレートするためにドライ・エッチングを用いる段階と、
から構成されることを特徴とする半導体ダイを形成する方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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