MWW型骨格構造を有するスズ含有ゼオライト材料

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：アインゼル・フェリックス=ラインハルト , 久野琢也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-540156
公開番号（公開出願番号）：特表2015-534937
出願日： 2013年11月05日
公開日（公表日）： 2015年12月07日
要約：

元素として計算し、かつSn-MWWの質量を基準として多くとも2質量%のスズ含有量を有し、かつ(6.6±0.1)°、(7.1±0.1)°、及び(7.9±0.1)°の2θ回折角でのピークを含んでなるX線回折図形を有する、MWW型骨格構造を有するスズ含有ゼオライト材料(Sn-MWW)。

請求項（抜粋）：

MWW型骨格構造を有するスズ含有ゼオライト材料(Sn-MWW)を製造する方法であって、 (i)SiO2及びB2O3を含んでなるMWW骨格構造を有するホウ素含有ゼオライト材料(B-MWW)を準備する工程; (ii) (i)において準備されたB-MWWを、5.5〜8の範囲内のpHを有する液体溶剤系で処理することにより、該B-MWWを脱ホウ素処理する工程; (iii)以下の工程を含んでなる方法により、Snを、(ii)から得られた脱ホウ素処理B-MWW中へ組み込む工程: (iii.1) (ii)から得られた脱ホウ素処理B-MWWと、MWWテンプレート化合物、好ましくはピペリジン、ヘキサメチレンイミン、N,N,N,N’,N’,N’-ヘキサメチル-1,5-ペンタンジアンモニウムイオン、1,4-ビス(N-メチルピロリジニウム)ブタン、オクチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘプチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘキシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びそれらの2種以上の混合物からなる群から選択されるものと、スズ源とを含有する水性合成混合物を製造する工程、その際に該合成混合物中で、Sn(SnO2として計算して)対Si(SiO2として計算し、かつ該脱ホウ素処理B-MWW中に含まれる)のモル比は、多くとも0.015:1であり; (iii.2) (iii.1)から得られた合成混合物から、MWW型骨格構造を有するスズ含有ゼオライト材料を水熱合成して、それにより、MWW型骨格構造を有するスズ含有ゼオライト材料をその母液中に得る工程; (iii.3) (iii.2)から得られたMWW型骨格構造を有するスズ含有ゼオライト材料を、その母液から分離する工程; (iv) (iii)から得られたMWW型骨格構造を有するスズ含有ゼオライト材料を、多くとも5のpHを有する水溶液で処理して、それにより、元素として計算し、かつSn-MWWの質量を基準として多くとも2質量%のSn含有量を有する該Sn-MWWを得る工程、及び任意に、該Sn-MWWを該水溶液から分離する工程を含んでなる、MWW型骨格構造を有するスズ含有ゼオライト材料(Sn-MWW)を製造する方法。

IPC (4件)：

C01B 39/50 , B01J 29/04 , B01J 37/10 , B01J 37/06

FI (4件)：

C01B39/50 , B01J29/04 Z , B01J37/10 , B01J37/06

Fターム (71件)：

4G073BA56 , 4G073BA63 , 4G073BA65 , 4G073CZ50 , 4G073CZ55 , 4G073FB01 , 4G073FB06 , 4G073FB50 , 4G073FC25 , 4G073FC27 , 4G073FD20 , 4G073FD23 , 4G073FD27 , 4G073FE20 , 4G073GA01 , 4G073GA03 , 4G073UA03 , 4G169AA02 , 4G169AA08 , 4G169AA09 , 4G169BA07A , 4G169BA07B , 4G169BA21C , 4G169BA42C , 4G169BB01C , 4G169BB08C , 4G169BB10C , 4G169BB12C , 4G169BB14C , 4G169BC22A , 4G169BC22B , 4G169BD01C , 4G169BD02C , 4G169BD03C , 4G169BD12C , 4G169BD13C , 4G169BD15C , 4G169BE06C , 4G169BE08C , 4G169BE11C , 4G169BE22C , 4G169BE33C , 4G169CB07 , 4G169CB59 , 4G169DA08 , 4G169FA01 , 4G169FB27 , 4G169FB30 , 4G169FB57 , 4G169FB61 , 4G169FC02 , 4G169FC03 , 4G169FC04 , 4G169FC06 , 4G169FC07 , 4G169FC10 , 4G169ZA37A , 4G169ZA37B , 4G169ZB01 , 4G169ZB03 , 4G169ZB07 , 4G169ZB08 , 4G169ZB09 , 4G169ZC02 , 4G169ZC04 , 4G169ZD03 , 4G169ZD04 , 4G169ZD10 , 4G169ZE10 , 4H039CA42 , 4H039CH90

引用特許：

審査官引用 (10件)

MWW型構造を有するメタロシリケート物質およびその前駆体物質
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-200163 出願人：昭和電工株式会社
酸化化合物製造用結晶性MWW型チタノシリケート触媒、該触媒の製造方法、及び該触媒を用いた酸化化合物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-298133 出願人：昭和電工株式会社
チタノシリケート、その製造方法およびチタノシリケートを用いた酸化化合物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-036747 出願人：昭和電工株式会社

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