特許

J-GLOBAL ID：201503015727763539

半導体装置及び電子機器

発明者： 田中 哲弘 ,  坂倉 真之
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-082137
公開番号（公開出願番号）：特開2015-213164
出願日： 2015年04月14日
公開日（公表日）： 2015年11月26日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。または、酸化物半導体を用いた半導体装置において、信頼性を向上させる。【解決手段】素子層を有する半導体装置であって、素子層は、第1の膜と、トランジスタと、第2の膜と、を有する。また、第1の膜および第2の膜が、互いに接する領域を有する。また、第1の膜および第2の膜が互いに接する領域が、上面形状において、閉ループ状を有する。また、トランジスタが、第1の膜と第2の膜との間に設けられ、素子層の側面と、トランジスタとの間に、第1の膜および第2の膜が互いに接する領域を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

素子層を有する半導体装置であって、 前記素子層は、第1の膜と、第1のトランジスタと、第2の膜と、を有し、 前記第1の膜及び第2の膜は、水素及び水の一以上の拡散を抑制する機能を有し、 前記第1の膜および前記第2の膜が、互いに接する領域を有し、 前記第1の膜および前記第2の膜が互いに接する第1の領域を有し、 前記第1の領域が、上面形状において、閉ループ状を有し、 前記第1のトランジスタが、前記第1の膜と前記第2の膜との間に設けられ、 前記素子層の側面と、前記トランジスタとの間に、前記第1の領域が設けられることを特徴とする半導体装置。

IPC (17件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/092

FI (15件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 626C ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 441 ,  H01L27/10 321 ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 321G

Fターム (269件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD48 ,  4M104DD51 ,  4M104DD63 ,  4M104DD91 ,  4M104DD94 ,  4M104EE06 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF03 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF09 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF26 ,  4M104FF27 ,  4M104FF29 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH04 ,  4M104HH10 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BC02 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD06 ,  5F048BD10 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048CB10 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD10 ,  5F083AD14 ,  5F083AD69 ,  5F083EP22 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP75 ,  5F083GA01 ,  5F083GA02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR15 ,  5F083PR18 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA23 ,  5F101BA17 ,  5F101BD07 ,  5F101BD13 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD37 ,  5F101BD39 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF01 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BF09 ,  5F101BH03 ,  5F101BH05 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16 ,  5F101BH17 ,  5F101BH26 ,  5F110AA14 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ23

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 発光装置、照明装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-151039   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置、表示装置の作製方法および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-097851   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-239474   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体素子、半導体装置および半導体素子の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-067798   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-088200   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• フォトセンサの駆動方法、半導体装置の駆動方法、半導体装置、及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-258827   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、および表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-076415   出願人：株式会社東芝