特許

J-GLOBAL ID：201503018085583077

半導体装置

発明者： 宮入 秀和 ,  笹川 慎也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-265467
公開番号（公開出願番号）：特開2015-144271
出願日： 2014年12月26日
公開日（公表日）： 2015年08月06日
要約：

【課題】微細化に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】第1の素子と、当該第1の素子の上の第1の絶縁体と、当該第1の絶縁体の上の第1のバリア膜と、当該第1のバリア膜の上の第1の導電体と、当該第1の導電体の上の第2のバリア膜と、当該第2のバリア膜の上の第2の絶縁体と、当該第2の絶縁体の上の半導体と、を有し、当該第1の導電体は、当該第1のバリア膜と当該第2のバリア膜に囲われている半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の素子と、 前記第1の素子の上の第1の絶縁体と、 前記第1の絶縁体の上の第1のバリア膜と、 前記第1のバリア膜の上の第1の導電体と、 前記第1の導電体の上の第2のバリア膜と、 前記第2のバリア膜の上の第2の絶縁体と、 前記第2の絶縁体の上の半導体と、を有し、 前記第1の導電体は、前記第1のバリア膜と前記第2のバリア膜に囲われている、 半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (9件)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617U ,  H01L21/88 J ,  H01L21/90 B ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (186件)：

5F033GG01 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033LL04 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS07 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033VV15 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F033XX12 ,  5F048AA01 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB14 ,  5F048BC18 ,  5F048BD10 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG06 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048CB08 ,  5F048DA23 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083GA25 ,  5F083HA06 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD40 ,  5F101BE07 ,  5F110AA03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB11 ,  5F110BB20 ,  5F110CC05 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE37 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM02 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-276700   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-281554   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体素子、半導体装置および半導体素子の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-067798   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-343517   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-011691   出願人：ソニー株式会社