特許
J-GLOBAL ID:201003000687536920
半導体装置およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-011691
公開番号(公開出願番号):特開2010-171166
出願日: 2009年01月22日
公開日(公表日): 2010年08月05日
要約:
【課題】本発明は、裏面コンタクト電極と拡散層とのコンタクト抵抗が低減して、半導体装置の動作速度の向上を図ることを可能にする。【解決手段】基板10の表面側に形成された拡散層25P、26P、25N、26Nと、前記拡散層25P、26P、25N、26Nの表面に形成されていて前記拡散層25P、26P、25N、26Nよりも抵抗が低い低抵抗部27P、28P、27N、28Nと、前記基板10の裏面側より前記基板10を貫通して前記拡散層25P、26P、25N、26Nを通して前記低抵抗部27P、28P、27N、28Nに接続された裏面コンタクト電極63P、64P、63N、64Nを有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板の表面側に形成された拡散層と、
前記拡散層の表面に形成されていて前記拡散層よりも抵抗が低い低抵抗部と、
前記基板の裏面側より前記基板を貫通して前記拡散層を通して前記低抵抗部に接続された裏面コンタクト電極を有する
半導体装置。
IPC (10件):
H01L 21/320
, H01L 23/52
, H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 21/336
, H01L 21/824
, H01L 27/108
, H01L 27/10
, H01L 27/105
, H01L 43/08
FI (17件):
H01L21/88 J
, H01L29/78 616S
, H01L21/88 Q
, H01L21/28 301S
, H01L21/28 L
, H01L29/78 616K
, H01L29/78 613B
, H01L29/78 627C
, H01L27/10 621C
, H01L27/10 621Z
, H01L27/10 671C
, H01L27/10 681F
, H01L27/10 451
, H01L27/10 481
, H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 444B
Fターム (170件):
4M104AA01
, 4M104AA09
, 4M104BB01
, 4M104BB04
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104BB34
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD02
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD78
, 4M104DD84
, 4M104EE09
, 4M104EE17
, 4M104EE20
, 4M104FF14
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104GG16
, 4M104GG19
, 4M119AA05
, 4M119BB01
, 4M119CC02
, 4M119DD05
, 4M119DD09
, 4M119DD33
, 4M119DD45
, 4M119DD54
, 4M119EE04
, 4M119EE22
, 4M119EE29
, 4M119FF01
, 4M119FF05
, 4M119FF15
, 4M119KK02
, 5F033HH04
, 5F033HH08
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH25
, 5F033HH27
, 5F033HH30
, 5F033HH33
, 5F033HH36
, 5F033JJ07
, 5F033JJ11
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033KK25
, 5F033KK27
, 5F033KK30
, 5F033MM07
, 5F033MM30
, 5F033QQ70
, 5F033QQ72
, 5F033RR01
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR11
, 5F033RR21
, 5F033RR29
, 5F033RR30
, 5F033TT08
, 5F033VV06
, 5F033VV09
, 5F033VV10
, 5F033VV15
, 5F033VV16
, 5F033XX09
, 5F033XX19
, 5F033XX24
, 5F083AD02
, 5F083AD21
, 5F083AD24
, 5F083FR02
, 5F083FZ10
, 5F083GA02
, 5F083HA02
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA60
, 5F083LA21
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA01
, 5F083ZA01
, 5F092AA03
, 5F092AB08
, 5F092AC12
, 5F092BB04
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB55
, 5F092BC08
, 5F110AA03
, 5F110BB04
, 5F110BB05
, 5F110BB06
, 5F110BB08
, 5F110CC04
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE31
, 5F110EE41
, 5F110FF01
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF23
, 5F110FF25
, 5F110FF26
, 5F110FF27
, 5F110FF29
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110HJ13
, 5F110HK05
, 5F110HK40
, 5F110HL01
, 5F110HL02
, 5F110HL04
, 5F110HL11
, 5F110HL14
, 5F110HM02
, 5F110HM15
, 5F110HM17
, 5F110HM19
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN62
, 5F110NN65
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110QQ08
, 5F110QQ11
, 5F110QQ16
, 5F110QQ19
, 5F110QQ30
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