特許
J-GLOBAL ID：201303019227456486

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-276700
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149965
出願日： 2012年12月19日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、電気特性の安定したトランジスタを提供する。【解決手段】加熱により酸素放出が可能な酸化膜上に、少なくとも酸化膜からの酸素の放出が抑制できる第1の酸化物半導体膜を形成し、第1の酸化物半導体膜上に第2の酸化物半導体膜を形成する。このような積層型の酸化物半導体膜の構成とすることで、第2の酸化物半導体膜の形成時に酸化膜から酸素の放出を抑制し、その後の熱処理にて酸化膜から酸素を放出させ、第1の酸化物半導体膜を通過し第2の酸化物半導体膜へ酸素の供給を好適に行うことが可能となる。第2の酸化物半導体膜へ酸素を供給することで、酸素欠損の発生が抑制され、電気特性が安定したものとなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の酸化物半導体膜と、 前記第1の酸化物半導体膜上に形成された第2の酸化物半導体膜と、を有し、 前記第1の酸化物半導体膜、及び前記第2の酸化物半導体膜は、少なくともインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物膜であり、 前記第1の酸化物半導体膜は、前記第2の酸化物半導体膜よりもインジウムの含有率が小さい、且つガリウムの含有率が大きい半導体装置。
IPC (14件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/105
FI (16件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 616T ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/08 331E ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 615 ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 441
Fターム (191件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA05 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD62 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD75 ,  4M104DD91 ,  4M104EE06 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF09 ,  4M104FF11 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104FF29 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH04 ,  4M104HH10 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA20 ,  5F048BB03 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD10 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG06 ,  5F048BG11 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F048DA23 ,  5F083AD02 ,  5F083AD14 ,  5F083AD69 ,  5F083BS01 ,  5F083BS13 ,  5F083BS27 ,  5F083EP22 ,  5F083EP75 ,  5F083GA02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083JA58 ,  5F083LA02 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA21 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F101BA17 ,  5F101BB17 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BF09 ,  5F101BH09 ,  5F101BH14 ,  5F101BH16 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110GG54 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM02 ,  5F110HM17 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (12件)
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