特許
J-GLOBAL ID：201503019900766641
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-084835
公開番号（公開出願番号）：特開2015-159316
出願日： 2015年04月17日
公開日（公表日）： 2015年09月03日
要約：
【課題】単結晶構造を有する炭化珪素から作られた基板を含み、かつ低いオン抵抗を有する半導体装置と、その製造方法とを提供する。【解決手段】半導体装置(1)は、半導体層(21〜25)および基板(2)を有する。半導体層(21〜25)は、電流経路の少なくとも一部を構成し、かつ炭化珪素から作られている。基板(2)は、半導体層(21〜25)を支持する第1の面(2A)と、第1の面(2A)に対向する第2の面(2B)とを有する。また基板(2)は、4H型の単結晶構造を有する炭化珪素から作られている。また基板(2)は、フォトルミネッセンス測定において波長390nm付近のピーク強度に対する波長500nm付近のピーク強度の比が0.1以下となる物性を有する。これにより、低いオン抵抗を有する半導体装置(1)が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電流経路を有するトランジスタであって、
前記電流経路の少なくとも一部を構成する半導体層と、
前記半導体層を支持する第1の面と前記第1の面に対向する第2の面とを有し、かつ4H型の単結晶構造を有する炭化珪素から作られ、かつフォトルミネッセンス測定において波長390nm付近のピーク強度に対する波長500nm付近のピーク強度の比が0.1以下となる物性を前記第2の面において有する基板とを備える、トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, C30B 29/36
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, C30B29/36 A
, H01L29/78 658Z
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077AB08
, 4G077AB10
, 4G077BE08
, 4G077EA02
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE02
, 4G077EF01
, 4G077EF03
, 4G077FJ06
, 4G077GA06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
