複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：渡辺喜平 , 田中有子 , 佐藤猛 , 平山晃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-083197
公開番号（公開出願番号）：特開2015-157755
出願日： 2015年04月15日
公開日（公表日）： 2015年09月03日
要約：

【課題】TFT特性の均一性及びTFT特性の再現性が良好なTFTパネルが得られる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】ホモロガス結晶構造のIn2Ga2ZnO7を含み、焼結体密度が相対密度で90%以上であり、平均結晶粒径が10μm以下である複合酸化物焼結体。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ホモロガス結晶構造のIn2Ga2ZnO7を含み、焼結体密度が相対密度で90%以上であり、平均結晶粒径が10μm以下である複合酸化物焼結体。

IPC (5件)：

C04B 35/00 , C23C 14/34 , C23C 14/08 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

C04B35/00 J , C23C14/34 A , C23C14/08 K , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

Fターム (80件)：

4G030AA32 , 4G030AA34 , 4G030BA02 , 4G030CA01 , 4G030CA04 , 4G030GA11 , 4G030GA25 , 4G030GA27 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB10 , 4K029BC00 , 4K029BD01 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029EA08 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN41

引用特許：

審査官引用 (6件)

スパッタリングターゲットの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-335817 出願人：出光興産株式会社
スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-258273 出願人：キヤノン株式会社
ITOスパツタリングタ-ゲツト
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336300 出願人：株式会社日鉱共石

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