特許
J-GLOBAL ID：200903047299473637

スパッタリングターゲットの製造方法

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
矢野 公規

矢野 公規 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-335817
公開番号（公開出願番号）：特開2008-144246
出願日： 2006年12月13日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】IGZOスパッタリングターゲットとしての特性を損なうことなく、製造工程を短縮できる製造方法を提供する。【解決手段】比表面積が6〜10m2/gである酸化インジウム粉と、比表面積が5〜10m2/gである酸化ガリウム粉と、比表面積が2〜4m2/gである酸化亜鉛粉を含み、粉体全体の比表面積が5〜8m2/gである混合粉体を原料とし、原料を湿式媒体撹拌ミルにより混合粉砕し、比表面積を混合粉体全体の比表面積より1.0〜3.0m2/g増加させる工程と、この工程後の原料を成形し、酸素雰囲気中1250〜1450°Cで焼結する工程を含む、スパッタリングターゲットの製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
比表面積が6〜10m2/gである酸化インジウム粉と、比表面積が5〜10m2/gである酸化ガリウム粉と、比表面積が2〜4m2/gである酸化亜鉛粉を含み、粉体全体の比表面積が5〜8m2/gである混合粉体を原料とし、 前記原料を湿式媒体撹拌ミルにより混合粉砕し、比表面積を混合粉体全体の比表面積より1.0〜3.0m2/g増加させる工程と、 前記工程後の原料を成形し、酸素雰囲気中1250〜1450°Cで焼結する工程を含む、スパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  C04B 35/622
FI (3件)：
C23C14/34 A ,  C04B35/00 J ,  C04B35/00 C
Fターム (16件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA07 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09
引用特許：
出願人引用 (12件)
  • 電界効果型トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325364   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
  • 特開昭63-210023号公報
  • 特開昭63-210024号公報
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