特許
J-GLOBAL ID：201503040053556110

ダイヤモンドの基板にMOS積層体を製造する方法

発明者：
チコット,ゴーティエ

チコット,ゴーティエ について

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マレシャル,オーレリアン

マレシャル,オーレリアン について

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ミュレ,ピエール

ミュレ,ピエール について

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ペルノ,ジュリアン

ペルノ,ジュリアン について


出願人/特許権者：
セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク

セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク について

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ユニヴェルシテ ジョセフ フーリエ

ユニヴェルシテ ジョセフ フーリエ について


代理人 (2件)： 河野 英仁 ,  河野 登夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-548159
公開番号（公開出願番号）：特表2015-508569
出願日： 2012年12月20日
公開日（公表日）： 2015年03月19日
要約：
【解決手段】本発明は、絶縁領域(7) によって単結晶ダイヤモンドの半導体基板(2) から絶縁された導電性のゲート(9) を備えた構成要素を製造する方法であって、半導体基板の水素表面終端を酸素表面終端に置換するように半導体基板(2) の表面を酸化させるステップa)と、半導体基板(2) の表面に原子層堆積法(ALD )の繰り返しによって絶縁領域(7) を形成するステップb)とを有する方法に関する。
請求項（抜粋）：
絶縁領域(7) によって単結晶ダイヤモンドの半導体基板(2) から絶縁された導電性のゲート(9) を備えた構成要素を製造する方法であって、 前記半導体基板(2) の表面を酸化させて、前記半導体基板の水素表面終端を酸素表面終端に置換するステップa)、及び、 前記半導体基板(2) の表面に原子層堆積法(ALD )によって絶縁領域(7) を形成するステップb) を有することを特徴とする方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  C30B 29/04 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/40 ,  C01B 31/06 ,  H01L 21/316
FI (7件)：
H01L29/78 301B ,  C30B29/04 E ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C01B31/06 Z ,  H01L21/316 A ,  H01L21/316 X
Fターム (48件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077FH08 ,  4G077FJ06 ,  4G077FJ07 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G146AA04 ,  4G146AB05 ,  4G146AC19B ,  4G146AD30 ,  4G146CB14 ,  4G146CB16 ,  4G146CB22 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030EA03 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  5F058BA06 ,  5F058BA10 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF03 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF62 ,  5F058BF78 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA40 ,  5F140AC39 ,  5F140BA04 ,  5F140BA16 ,  5F140BD11 ,  5F140BE01 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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