特許
J-GLOBAL ID：201103045365756144
熱電子発電素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-281369
公開番号（公開出願番号）：特開2011-124412
出願日： 2009年12月11日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
【課題】コレクターの温度を下げずにコレクターのバックエミッションを抑制することにより、発電効率を向上させることができる熱電子発電素子を提供する。【解決手段】エミッター1とコレクター2とを対向配置させた熱電子発電素子において、半導体材料を用いてエミッター1およびコレクター2をそれぞれ構成する。そして、エミッター1のドーパント濃度をコレクター2のドーパント濃度よりも濃くする。これにより、コレクター2からエミッター1へ到達する熱電子の数を少なくすることができる。このため、エミッター1とコレクター2を同じ温度で加熱しても、発電効率を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに対向配置された一対の電極間を移動する熱電子を利用して熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電子発電素子であって、
半導体不純物が添加された半導体材料により構成され、熱源からの熱が加わることによって熱電子を放出するエミッター(1)と、
前記エミッター(1)に対して一定間隔離間して対向配置されていると共に半導体不純物が添加された半導体材料により構成され、前記エミッター(1)から放出された前記熱電子を移動させるコレクター(2)と、を備え、
前記コレクター(2)を構成する半導体材料に添加された半導体不純物のドーパント濃度が、前記エミッター(1)を構成する半導体材料に添加された半導体不純物のドーパント濃度よりも薄いことを特徴とする熱電子発電素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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