特許
J-GLOBAL ID：201103059140414091
単結晶ダイヤモンド上にPZT薄膜を形成する方法、PZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンド、及びPZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンドを使用したキャパシタ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-265854
公開番号（公開出願番号）：特開2011-113986
出願日： 2009年11月24日
公開日（公表日）： 2011年06月09日
要約：
【課題】強誘電性を示すペロブスカイト構造のPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)薄膜をダイヤモンド単結晶上に直接成長させることが困難なため、従来技術では、酸化物薄膜(例えばAl2O3/SrTiO3連続膜)を緩衝層として用いていたが、強誘電特性は不十分であった。 【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板またはエピタキシャル薄膜上にフッ化物(CaF2、BaF2、MgF2の内一つ)を緩衝層として用いることにより、抗電界を同じ大きさ(33kV/cm)に保ちながら、従来の2倍の残留分極電荷(68μC/cm2)を持つ優れた強誘電性のPZT薄膜を提供する。更に、p型ダイヤモンド(13)/フッ化物(14)/PZT(15)/金属(16)構造からなるキャパシタを提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
以下のステップ(a)及び(b)を設けたダイヤモンド単結晶上にPZT薄膜を形成する方法。
(a)ダイヤモンド単結晶表面上にCaF2、BaF2、MgF2から選ばれた少なくとも1種類のフッ化物の単層膜または多層膜を形成する。
(b)前記フッ化物の単層膜又は多層膜の上にPZT膜を形成する。
IPC (6件)：
H01L 21/316
, G01Q 10/02
, G01Q 10/04
, C23C 14/08
, H01L 21/822
, H01L 27/04
H01L21/316 Y
, G01N13/10 101B
, G01N13/10 101E
, C23C14/08 K
, H01L27/04 C
4K029AA04
, 4K029AA24
, 4K029BA42
, 4K029BA43
, 4K029BB02
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC35
, 4K029DC39
, 4K029FA01
, 4K029GA01
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038AC16
, 5F038AC18
, 5F038EZ01
, 5F038EZ14
, 5F038EZ17
, 5F038EZ20
, 5F058BA11
, 5F058BB10
, 5F058BD01
, 5F058BD05
, 5F058BD18
, 5F058BF12
