半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-187764
公開番号（公開出願番号）：特開2015-056457
出願日： 2013年09月10日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
要約：

【課題】電流コラプスの抑制とともにスイッチングロスの低減を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置110は、第1窒化物半導体層10と、第2窒化物半導体層20と、第1電極81と、第2電極82と、第1絶縁膜51と、第1制御電極91と、第2絶縁膜52と、延出電極30を含む。第2窒化物半導体層20は、第1窒化物半導体層10の上に設けられ第1窒化物半導体層10のバンドギャップ以上のバンドギャップを有する。第1絶縁膜51は、第2窒化物半導体層20の上に設けられる。第1制御電極91は、第1絶縁膜51の上に設けられ、第1電極81と第2電極82との中間の位置よりも第1電極81側に設けられる。延出電極30は、第1制御電極91の第1電極81側の端部の位置に対応した電界強度が、第1延出部分31の第1電極81側の端部の位置に対応した電界強度と実質的に等しくなるように第2絶縁膜の上方に設けられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1窒化物半導体層と、前記第1窒化物半導体層の上に設けられ前記第1窒化物半導体層のバンドギャップ以上のバンドギャップを有する第2窒化物半導体層と、前記第2窒化物半導体層の上に設けられた第1電極と、前記第2窒化物半導体層の上に設けられ前記第1電極と離間して設けられた第2電極と、前記第2窒化物半導体層の上に設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の上に設けられ、前記第1電極と前記第2電極との中間の位置よりも前記第1電極側に設けられた第1制御電極と、前記第1制御電極と前記第1電極との間、及び前記第1制御電極と前記第2電極との間に設けられた第2絶縁膜と、前記第1制御電極から前記第1電極に向かう方向に第1の長さを有する第1部分を有し、前記第1制御電極の前記第1電極側の端部の電界強度が、前記第1部分の前記第1電極側の端部の電界強度と実質的に等しくなるように、前記第2絶縁膜の上方に設けられた導電体と、を備えた半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 27/095 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 21/28 , H01L 29/41

FI (7件)：

H01L29/80 H , H01L29/80 F , H01L29/80 E , H01L29/78 301B , H01L29/06 301F , H01L21/28 301B , H01L29/44 Y

Fターム (83件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA09 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB33 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD34 , 4M104DD78 , 4M104EE02 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF07 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104HH20 , 5F102GA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GS06 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F140AA01 , 5F140AA25 , 5F140AA29 , 5F140BA00 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF58 , 5F140BH02 , 5F140BH47 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ28 , 5F140BK25 , 5F140BK38 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC12

引用特許：

審査官引用 (6件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-000470 出願人：シャープ株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-120617 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-061209 出願人：株式会社東芝

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