特許
J-GLOBAL ID:201503048545756612
熱処理装置及び成膜システム
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
金本 哲男
, 亀谷 美明
, 萩原 康司
, 扇田 尚紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-106089
公開番号(公開出願番号):特開2015-035586
出願日: 2014年05月22日
公開日(公表日): 2015年02月19日
要約:
【課題】基板の熱処理の際に供給される不活性ガスの供給量を少量に抑制しつつ、基板の熱処理を適切に行う。【解決手段】第1の熱処理装置30は、ウェハWを保持して熱処理する熱板120と、熱板120の上方に設けられ、且つ熱板120と一体となって、ウェハWを収容して熱処理を行う熱処理室Kを形成する蓋体140と、熱処理室Kに不活性ガスを供給するガス供給機構150と、熱処理室K内の雰囲気を所定の真空度まで減圧する減圧機構160と、熱板120の上面と蓋体140の下面との間に環状に設けられ、熱処理室K内の気密性を保持するためのシール材141と、を有する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板を熱処理する熱処理装置であって、
基板を保持して熱処理する熱処理板と、
前記熱処理板の上方に設けられ、且つ前記熱処理板と一体となって、基板を収容して熱処理を行う熱処理室を形成する蓋体と、
前記熱処理室に不活性ガスを供給するガス供給機構と、
前記熱処理室内の雰囲気を所定の真空度まで減圧する減圧機構と、
前記熱処理板の上面と前記蓋体の下面との間に環状に設けられ、前記熱処理室内の気密性を保持するためのシール材と、を有することを特徴とする、熱処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/027
, H01L 21/31
, B05C 9/14
FI (3件):
H01L21/30 567
, H01L21/31 E
, B05C9/14
Fターム (23件):
4F042AA07
, 4F042BA06
, 4F042DB21
, 4F042DB39
, 4F042DE06
, 5F045AA20
, 5F045AD05
, 5F045BB08
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EB10
, 5F045EB20
, 5F045EF02
, 5F045EF20
, 5F045EK07
, 5F045EM10
, 5F045GH09
, 5F045HA11
, 5F045HA14
, 5F045HA16
, 5F045HA24
, 5F146KA04
, 5F146KA05
引用特許:
出願人引用 (8件)
-
基板処理システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-319354
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
基板処理装置および基板処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-030407
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
-
熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-007921
出願人:東京エレクトロン株式会社
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審査官引用 (8件)
-
基板処理システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-319354
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
基板処理装置および基板処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-030407
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
-
熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-007921
出願人:東京エレクトロン株式会社
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