特許
J-GLOBAL ID：201503054286098105

光集積素子の異常電流検知方法および光集積素子アセンブリ

発明者：
屋冨祖 良貴

屋冨祖 良貴 について

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黒部 立郎

黒部 立郎 について

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向原 智一

向原 智一 について

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岡庭 武男

岡庭 武男 について

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山本 篤司

山本 篤司 について

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越 浩之

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出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 酒井 宏明 ,  田代 至男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-173769
公開番号（公開出願番号）：特開2014-033127
特許番号：特許第5705803号
出願日： 2012年08月06日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体レーザを有する光集積素子が出射するレーザ光の出力を検知するレーザ光出力検知手段によって、前記レーザ光のうちの前記光集積素子において導波されない漏れ光を検知する漏れ光検知ステップと、 前記レーザ光出力検知手段が検知した前記漏れ光の強さに基づいて、制御手段によって前記半導体レーザの駆動電流の異常を検知する異常検知ステップと、を含み、 前記光集積素子は、前記半導体レーザが出射するレーザ光を増幅する光増幅手段をさらに有し、前記半導体レーザが分布帰還型半導体レーザであり、前記漏れ光は前記光増幅手段に導光されずに放出されたものであり、前記レーザ光出力検知手段は前記漏れ光の検知とともに、前記光増幅手段によって増幅されたレーザ光を検知可能に構成されていることを特徴とする光集積素子の異常電流検知方法。
IPC (2件)：
H01S 5/0683 ( 200 6.01) ,  H01S 5/026 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01S 5/068 ,  H01S 5/026 612 ,  H01S 5/026 618
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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