抵抗変化素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：加藤朝道 , 内田潔人 , 青木充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-241741
公開番号（公開出願番号）：特開2015-103601
出願日： 2013年11月22日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
要約：

【課題】高い抵抗比ウィンドウとエンデュランス、抵抗変動が少ない安定な電極を実現する抵抗変化素子を提供する。【解決手段】第1電極11及び第2電極15と、酸素及び第1金属を含む抵抗変化層13と、第2電極15と抵抗変化層13との間に配されるとともに、酸素及び第1金属とは異なる第2金属を含み、かつ、比抵抗が1000μΩ・cm以下である抵抗層14と、第1電極11と抵抗変化層13との間に配されるとともに、抵抗層14から抵抗変化層13へ供給される酸素の第1電極11への拡散を妨げる特性を有する拡散防止層12と、を備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1電極及び第2電極と、酸素及び第1金属を含む抵抗変化層と、前記第2電極と前記抵抗変化層との間に配されるとともに、酸素及び前記第1金属とは異なる第2金属を含み、かつ、比抵抗が1000μΩ・cm以下である抵抗層と、前記第1電極と前記抵抗変化層との間に配されるとともに、前記抵抗層から前記抵抗変化層へ供給される酸素の前記第1電極への拡散を妨げる特性を有する拡散防止層と、を備えることを特徴とする抵抗変化素子。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00 , G11C 13/00

FI (6件)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 481 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z , G11C13/00 110R , G11C13/00 180

Fターム (20件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA06 , 5F083MA15 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083ZA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-109936 出願人：株式会社東芝
メモリ素子およびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-540136 出願人：韓國電子通信研究院
誘電膜、キャパシタ、その製造方法、半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-235057 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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