特許
J-GLOBAL ID：201503086876658725

半導体装置の評価方法、並びに半導体装置およびその製造方法

発明者：
田村 亮祐

田村 亮祐 について

, 
高木 啓史

高木 啓史 について

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李 江

李 江 について

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上野 勝典

上野 勝典 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について

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富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-191007
公開番号（公開出願番号）：特開2015-056627
出願日： 2013年09月13日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
要約：
【課題】ショットキーリークを増加させずに、オン抵抗を低減しつつ電流コラプスを抑制して実機動作中の導通損失が増加しない半導体装置を得ること。【解決手段】基板11上に、バッファ層12とC-GaN層13と窒化物系半導体からなる電子走行層14および電子供給層15を順次積層した半導体積層体とを設ける。半導体積層体上に、フィールドプレート層16およびパッシベーション膜17をそれぞれ選択的に設ける。アノード電極18は、パッシベーション膜17上に乗り上げて少なくとも2段の段差形状を有する。アノード電極18におけるパッシベーション膜17上に乗り上げた部分の段差の1段目の段差の直下におけるピンチオフ電圧が所定電圧以下、具体的に25V以下か否かによって半導体装置を評価する。カソード電極19は、半導体積層体を構成する少なくとも一部の層の上にアノード電極18と離間して設ける。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基体と、 前記基体上に形成された窒化物系半導体からなる第1半導体層、および前記第1半導体層の上に形成され前記第1半導体層よりもバンドギャップが広い窒化物系半導体からなる第2半導体層を含む半導体積層体と、 前記半導体積層体の少なくとも一部の上に選択的に設けられ、少なくとも1段の段差を有する階段状を成す絶縁膜と、 前記絶縁膜の少なくとも前記1段の段差の上に乗り上げて少なくとも2段の段差を有する階段状を成す第1電極と、 前記半導体積層体を構成する少なくとも一部の層の上に、前記第1電極と離間して設けられる第2電極と、 を備えた半導体装置の評価方法において、 前記第1電極における前記絶縁膜の上に乗り上げた段差のうちの1段目の段差部分の直下におけるピンチオフ電圧が所定電圧以下であるか否かによって、前記半導体装置の良否を評価する ことを特徴とする半導体装置の評価方法。
IPC (11件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/66
FI (9件)：
H01L29/48 D ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 F ,  H01L29/44 Y ,  H01L29/91 C ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L21/66 F
Fターム (33件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104DD35 ,  4M104DD68 ,  4M104EE06 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  4M106AA13 ,  4M106AD04 ,  4M106CA12 ,  4M106CA70 ,  4M106DJ27 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102GV05
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-011315   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
  • HEMT装置及びその製造方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-512815   出願人：ダイナックスセミコンダクター,インコーポレイティド
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-373612   出願人：松下電器産業株式会社
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審査官引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-011315   出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
  • HEMT装置及びその製造方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-512815   出願人：ダイナックスセミコンダクター,インコーポレイティド
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-373612   出願人：松下電器産業株式会社
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